2023年11月27-30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
作為國(guó)內(nèi)首家以液相法為核心技術(shù)生長(zhǎng)SiC晶體的企業(yè)晶格領(lǐng)域?qū)⒘料啾緦檬?huì)。期間，“碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”技術(shù)論壇上，北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理張澤盛將帶來(lái)“液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究”的主題報(bào)告，分享最新技術(shù)研究成果與發(fā)展趨勢(shì)，誠(chéng)邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會(huì)，交流互通，同議產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)在與未來(lái)。
張澤盛，北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司執(zhí)行董事監(jiān)總經(jīng)理，博士，2023年獲得北京市科技新星榮譽(yù)稱號(hào)。已發(fā)表SCI論文6篇，申請(qǐng)發(fā)明專利17項(xiàng)（已授權(quán)3項(xiàng)）。自2016年起開(kāi)始進(jìn)行液相法生長(zhǎng)碳化硅晶體技術(shù)研究，結(jié)合液相法生長(zhǎng)晶體的技術(shù)特點(diǎn)改造設(shè)計(jì)了液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)爐，并針對(duì)液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)的生長(zhǎng)方法、溫場(chǎng)控制、助溶液配比、籽晶粘接與選取、籽晶旋轉(zhuǎn)、籽晶提拉等晶體生長(zhǎng)工藝進(jìn)行了大量且深入的基礎(chǔ)研究，成功實(shí)現(xiàn)晶體尺寸從2英寸快速突破到6英寸，在晶體生長(zhǎng)速度、生長(zhǎng)質(zhì)量以及生長(zhǎng)厚度方面也取得了巨大進(jìn)步，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。2020年6月，創(chuàng)立了國(guó)內(nèi)首家采用液相法技術(shù)制備SiC襯底的企業(yè)—北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司，實(shí)現(xiàn)了液相法碳化硅生長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)成果轉(zhuǎn)化落地，目前已建成的實(shí)驗(yàn)線具備年產(chǎn)超5000片碳化硅單晶襯底的生產(chǎn)能力。在液相法生長(zhǎng)碳化硅單晶技術(shù)方面取得了重大突破，襯底質(zhì)量逐步接近市場(chǎng)化需求，已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行下游驗(yàn)證，在國(guó)內(nèi)首次攻克了液相法SiC晶體生長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，即將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)產(chǎn)階段。該技術(shù)大范圍推廣將推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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技術(shù)分論壇：碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)
Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Substrate, Epitaxy Growth and Equipment
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時(shí)間：2023年11月29日08:25-12:00
地點(diǎn)：廈門國(guó)際會(huì)議中心酒店 • 白鷺廳
Time: Nov 29, 08:25-12:00
Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall
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協(xié)辦支持/Co-organizer:
三安半導(dǎo)體 San'an Co.,ltd
廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd.
賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
清軟微視（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.
九峰山實(shí)驗(yàn)室 JFS Laboratory
德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司 AIXTRON SE
河北普興電子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTEC
哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
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主持人
Moderator
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徐現(xiàn)剛 / XU Xiangang
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授
Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University
馮 淦 / FENG Gan
瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理
General Manager of EpiWorld International Co.,Ltd.
陳小龍/CHEN Xiaolong
中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
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08:25-08:30
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嘉賓致辭 / Opening Address
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08:30-08:50
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利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體
Growth of bulk SiC and AlN crystals by Physical Vapor Transport in a crucible with presence of TaC
Yuri MAKAROV--Nitride Crystals Group Ltd.執(zhí)行總裁
Yuri MAKAROV--President of Nitride Crystals Group Ltd.
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08:50-09:10
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200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)
200mm 4H-SiC for high quality thick-layer homogeneous epitaxial growth
薛宏偉--河北普興電子科技股份有限公司總經(jīng)理
XUE Hong--General Manager of Hebei Poshing Electronic Technology Co., Ltd
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09:10-09:30
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High throughput Epitaxy Solution for 150mm and 200mm Silicon Carbide
碳化硅6/8英寸高產(chǎn)能外延解決方案
方子文--德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理
FANG Ziwen--General Manager, AIXTRON SE of China
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09:30-09:50
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大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展Research progress of 8-inch SiC single crystal
楊祥龍--山東大學(xué)副教授/南砂晶圓技術(shù)總監(jiān)
YANG Xianglong--Associate professor of Shandong University Technical director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd
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09:50-10:10
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化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無(wú)損檢測(cè)技術(shù) Nondestructive Inspection for Compound Semiconductor Substrate and Epitaxy
周繼樂(lè)--清軟微視（杭州）科技有限公司 總經(jīng)理
ZHOU Jile-- General Manager of T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd
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10:10-10:25
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茶歇 / Coffee Break
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10:25-10:45
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時(shí)間分辨光譜技術(shù)及其在SiC材料檢測(cè)中的應(yīng)用
Transient Absorption Spectroscopy and Its Applications in Semiconductor Testing
金盛燁--中國(guó)科學(xué)院大連理化所研究員、大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司董事長(zhǎng)
JIN Shengye--Professor of Dalian Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Chairman of Dalian Chuangrui Spectral Technology Co., Ltd
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10:45-11:05
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8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
Industrialization progress of 8-inch silicon carbide substrate
趙麗麗--哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)
ZHAO Lili--President of KY Semiconductor, Inc.
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11:05-11:25
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精細(xì)石墨——半導(dǎo)體材料制造之柱
Fine Graphite, a pillar for semiconductor material manufacture
吳厚政--賽邁科電子股份有限公司CTO
WU Houzheng--CTO of SIAMC Advanced Material Corporation
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11:25-11:45
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液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究
Research on the Growth Technology of Silicon Carbide Single Crystal by Liquid Phase Method
張澤盛--北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理
ZHANG Zesheng--General Manager of Beijing Lattice Semiconductor Co., Ltd
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11:45-12:00
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碳化硅襯底粗研磨和精研磨工藝及耗材技術(shù)
SiC Substrate Coarse Lapping and Fine Lapping Processes and Consumables
苑亞斐 北京國(guó)瑞升科技集團(tuán)股份有限公司研發(fā)總監(jiān)
YUAN Yafei R&D Director of Beijing Grish Hitech Co., Ltd
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12:00-12:15
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熱壁反應(yīng)器在4°離軸襯底上生長(zhǎng)150mm低表面粗糙度4H-SiC外延層
Growth of 150 mm 4H-SiC Epilayers with Low Surface Roughness by a Hot-Wall Reactor on 4° off-Axis Substrates
閆果果--中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所助理研究員
YAN Guoguo--Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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12:00-13:25
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午休 / Adjourn
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（備注：本場(chǎng)會(huì)議日程仍在調(diào)整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)！）
晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）襯底研發(fā)、生產(chǎn)及銷售于一體，北京市及順義區(qū)重點(diǎn)關(guān)注的創(chuàng)新型高技術(shù)企業(yè)。 晶格領(lǐng)域是國(guó)內(nèi)首家以液相法為核心技術(shù)生長(zhǎng)SiC晶體的企業(yè)，掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的液相法SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)。相較當(dāng)前主流的物理氣相傳輸法晶體生長(zhǎng)技術(shù)，液相法能有效提高晶體質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，并能有效解決目前行業(yè)內(nèi)高質(zhì)量4H-p型和3C-n型SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化難題。此外，該方法對(duì)于推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
公司已建成液相法碳化硅襯底制備試驗(yàn)線，并成功生長(zhǎng)出4-6英寸4H-p型SiC晶體。2023年，公司進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了2-4英寸3C-n型SiC晶體的液相生長(zhǎng)技術(shù)，6英寸也在研發(fā)中。兩種產(chǎn)品的尺寸、質(zhì)量與厚度均處于國(guó)際領(lǐng)先水平。公司注重人才發(fā)展，擁有多種人才發(fā)展渠道，勵(lì)志打造一支技術(shù)過(guò)硬、業(yè)務(wù)精湛的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，發(fā)展成為國(guó)際一流的SiC襯底企業(yè)，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
更多論壇內(nèi)容、活動(dòng)及嘉賓信息，敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！
附論壇詳細(xì)信息：
會(huì)議時(shí)間 : 2023年11月27-30日
會(huì)議地點(diǎn) :中國(guó)· 福建 ·廈門國(guó)際會(huì)議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業(yè)和信息化局
廈門市科學(xué)技術(shù)局
廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)
惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏
程序委員會(huì) ：
程序委員會(huì)主席團(tuán)
主席：
張 榮--廈門大學(xué)黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明--中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中國(guó)科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風(fēng)益--中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
李晉閩--中國(guó)科學(xué)院特聘研究員
張國(guó)義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授
沈 波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐 科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員
邱宇峰--廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長(zhǎng)
盛 況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
張 波--電子科技大學(xué)教授
陳 敬--香港科技大學(xué)教授
徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授
張國(guó)旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授
日程總覽：
備注：更多同期活動(dòng)正在逐步更新中！
注冊(cè)參會(huì)：
備注：11月15日前注冊(cè)報(bào)名，享受優(yōu)惠票價(jià)！
＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的5%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議：碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)，氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)，碳化功率器件及其封裝技術(shù)I、Ⅱ，氮化鎵功率電子器件，氮化鎵射頻電子器件，超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ；
＊SSL技術(shù)會(huì)議：光品質(zhì)與光健康醫(yī)療技術(shù)，Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù)，半導(dǎo)體照明芯片、封裝及光通信技術(shù)，氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)，光農(nóng)業(yè)與生物技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ；
＊IFWS會(huì)議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會(huì)議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
線上報(bào)名通道：
組委會(huì)聯(lián)系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.贊助/參會(huì)/參展/商務(wù)合作
張女士
13681329411
zhangww@casmita.com
賈先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
協(xié)議酒店：
