一、研究所簡(jiǎn)介
1956年，在新中國(guó)首個(gè)中長(zhǎng)期科學(xué)技術(shù)發(fā)展的綱領(lǐng)性文件——《1956-1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被確立為國(guó)家新技術(shù)發(fā)展的四大緊急措施之一。為奠定中國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)研究的基石、構(gòu)建系統(tǒng)化的研發(fā)體系，我國(guó)于1960年9月在北京成立中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，開啟了中國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。
建所65年來(lái)，半導(dǎo)體研究所在我國(guó)半導(dǎo)體科技發(fā)展的各個(gè)歷史階段均做出了重大貢獻(xiàn)，取得了令人矚目的成就：中國(guó)第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺(tái)硅單晶爐、區(qū)熔爐等，均誕生于半導(dǎo)體研究所。研究所共獲得國(guó)家級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)近40項(xiàng)，黃昆院士榮獲2001年度國(guó)家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。
半導(dǎo)體研究所作為集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)應(yīng)用為一體的國(guó)家級(jí)綜合性研究機(jī)構(gòu)，擁有兩個(gè)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室——光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；兩個(gè)國(guó)家級(jí)研究中心—國(guó)家光電子工藝中心、光電子器件國(guó)家工程研究中心；一個(gè)院級(jí)實(shí)驗(yàn)室——中國(guó)科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；還設(shè)有納米光電子實(shí)驗(yàn)室、人工智能與高速電路實(shí)驗(yàn)室、光電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室、全固態(tài)光源實(shí)驗(yàn)室、寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心和元器件檢測(cè)中心?，F(xiàn)有職工700余人，其中包括中國(guó)科學(xué)院院士8名，中國(guó)工程院院士1名，高層次引進(jìn)人才計(jì)劃入選者53人，國(guó)家級(jí)領(lǐng)軍人才計(jì)劃入選者27 人，國(guó)家級(jí)青年人才計(jì)劃入選者17人。研究所設(shè)有3個(gè)博士后流動(dòng)站，擁有8個(gè)學(xué)術(shù)型學(xué)科專業(yè)博士和碩士培養(yǎng)點(diǎn)，以及2個(gè)專業(yè)學(xué)位領(lǐng)域培養(yǎng)點(diǎn)。作為中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學(xué)與工程”學(xué)科入選國(guó)家一流學(xué)科。
光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室簡(jiǎn)介
光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室依托于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，于2024年底獲科技部批復(fù)。
使命定位：面向光電子材料與器件前沿領(lǐng)域，聚焦異質(zhì)異構(gòu)集成、多維光電調(diào)控與多功能一體化等關(guān)鍵技術(shù)，開展前瞻性與原創(chuàng)性研究，構(gòu)建“產(chǎn)-學(xué)-研”融合科技攻關(guān)聯(lián)合體，滿足國(guó)家光通信領(lǐng)域?qū)Ω叨斯怆娮硬牧吓c器件的重大需求。
特色成果：長(zhǎng)期深耕光電子材料與器件前沿，構(gòu)建了貫穿半導(dǎo)體光電子“機(jī)理-材料-芯片-器件-應(yīng)用”全鏈條研發(fā)體系。材料體系涵蓋InP、GaAs、GaSb、硅基、鐵電等Ⅲ-Ⅴ族化合物及新型半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體激光器、調(diào)制器、探測(cè)器及光子集成等核心光電子材料與器件領(lǐng)域長(zhǎng)期處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。目前已經(jīng)形成從材料外延、器件制備、芯片集成、封裝測(cè)試到系統(tǒng)應(yīng)用的自主可控技術(shù)體系，是我國(guó)光電子材料與器件領(lǐng)域的核心研究單元。
實(shí)驗(yàn)室誠(chéng)邀半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域，包括半導(dǎo)體材料與器件、半導(dǎo)體光電子學(xué)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、物理電子學(xué)、集成電路科學(xué)與工程、光學(xué)工程、電路與系統(tǒng)、電子信息等學(xué)科方向的優(yōu)秀人才加入。
精通上述方向中一項(xiàng)者皆可加入，具有交叉科研背景優(yōu)先，以個(gè)人強(qiáng)項(xiàng)融入團(tuán)隊(duì)研發(fā)，相互學(xué)習(xí)多學(xué)科最新技術(shù)，在項(xiàng)目中拓展個(gè)人研究領(lǐng)域與能力。
招聘崗位
（一）優(yōu)秀人才A類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過50周歲。
（2）海外申請(qǐng)人應(yīng)具有在海外知名科研機(jī)構(gòu)、高?；虼笮推髽I(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)等擔(dān)任教授或相當(dāng)崗位的任職經(jīng)歷。特別優(yōu)秀或急需者，可放寬至副教授或相當(dāng)崗位的任職經(jīng)歷。
國(guó)內(nèi)申請(qǐng)人應(yīng)具有在國(guó)內(nèi)知名科研機(jī)構(gòu)、高校或大型企業(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)等擔(dān)任三級(jí)（含）以上教授或相當(dāng)崗位的任職經(jīng)歷，是國(guó)內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域優(yōu)秀的學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人。
（3）引進(jìn)后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
（1）聘任為研究員（正高級(jí)編制崗位)、博士生導(dǎo)師?？杉尤虢ㄖ苹瘒?guó)家級(jí)研究團(tuán)隊(duì)，或獨(dú)立設(shè)立課題組、研究所協(xié)助建立研究團(tuán)隊(duì)。
（2）1000-1600萬(wàn)元科研經(jīng)費(fèi)。
（3）提供具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇，年薪70萬(wàn)元/年以上；
（4）除中國(guó)科學(xué)院200萬(wàn)元生活補(bǔ)貼外，研究所提供租房補(bǔ)貼、特殊人才津貼、住房補(bǔ)貼等各項(xiàng)津補(bǔ)貼以及全方位的福利保障。
（5）其他支持：提供科研所需的辦公和實(shí)驗(yàn)用房；享受人才長(zhǎng)租房，提供直至退休的人才長(zhǎng)租房政策；按照相關(guān)政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學(xué)等。
（二）優(yōu)秀人才B類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過40周歲。
（2）海外申請(qǐng)人應(yīng)具有取得博士學(xué)位后在海外知名科研機(jī)構(gòu)、高?；虼笮推髽I(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)連續(xù)不少于3年（含）的科研工作經(jīng)歷（在海外取得博士學(xué)位且特別優(yōu)秀或急需者，海外工作年限可適當(dāng)放寬）。通過國(guó)家或單位派出赴海外學(xué)習(xí)工作的，申請(qǐng)項(xiàng)目時(shí)應(yīng)妥善處理與原派出單位人事和經(jīng)濟(jì)關(guān)系。
國(guó)內(nèi)申請(qǐng)人（院外）應(yīng)具有取得博士學(xué)位后在知名科研機(jī)構(gòu)、高?；虼笮推髽I(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)不少于3年（含）的科研工作經(jīng)歷，或具有擔(dān)任副教授或相當(dāng)崗位的任職經(jīng)歷。
本所特別研究助理申請(qǐng)人應(yīng)獲得過“特別研究助理資助項(xiàng)目”支持，并在我所具有不少于3年（含）的特別研究助理工作經(jīng)歷，且取得由院外單位頒發(fā)的博士研究生畢業(yè)證書和博士學(xué)位證書（不包含我院與院外單位聯(lián)合培養(yǎng)博士研究生）。
（3）引進(jìn)后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
通過研究所招聘后全職到崗的Ｂ類崗位備案人才，可享受如下待遇：
（1）聘為副高一級(jí)編制崗位，享受正高四級(jí)的崗位津貼。
（2）100萬(wàn)元科研啟動(dòng)經(jīng)費(fèi)。
（3）提供有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇。
（4）其他支持：提供科研所需的辦公和實(shí)驗(yàn)用房；享受人才長(zhǎng)租房和租房補(bǔ)貼；按照相關(guān)政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學(xué)等。
通過擇優(yōu)正式入選中國(guó)科學(xué)院相關(guān)人才計(jì)劃的Ｂ類崗位人才，可增加如下待遇：
（1）聘為研究員崗位（正高級(jí)編制崗位)，博士生導(dǎo)師，協(xié)助建立研究團(tuán)隊(duì)。
（2）300-900萬(wàn)元科研經(jīng)費(fèi)（含項(xiàng)目評(píng)估優(yōu)秀追加200萬(wàn)元）。
（3）提供有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬，年薪40萬(wàn)元/年以上。
（4）除中國(guó)科學(xué)院100萬(wàn)元生活補(bǔ)貼外，研究所提供租房補(bǔ)貼、特殊人才津貼、住房補(bǔ)貼等各項(xiàng)津補(bǔ)貼以及全方位的福利保障。
（三）優(yōu)秀青年人才崗位
1．崗位要求
申請(qǐng)人需符合國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目（海外）項(xiàng)目指南的要求：
（1） 遵守中華人民共和國(guó)法律法規(guī)，具有良好的科學(xué)道德，自覺踐行新時(shí)代科學(xué)家精神；
（2） 年齡在40歲以下；
（3） 具有博士學(xué)位；研究方向主要為自然科學(xué)、工程技術(shù)等；
（4） 在取得博士學(xué)位后，一般應(yīng)在海外知名高校、科研機(jī)構(gòu)、企業(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)獲得正式教學(xué)或者科研職位，且具有連續(xù)36個(gè)月以上工作經(jīng)歷；在海外取得博士學(xué)位且業(yè)績(jī)特別突出的，可適當(dāng)放寬工作年限要求，在海外工作期間，同時(shí)擁有境內(nèi)帶薪酬職位的申請(qǐng)人，其境內(nèi)帶薪酬職位的工作年限不計(jì)入海外工作年限；
（5） 取得同行專家認(rèn)可的科研或技術(shù)等成果，且具有成為該領(lǐng)域?qū)W術(shù)帶頭人或杰出人才的發(fā)展?jié)摿Γ?nbsp;
（6） 申請(qǐng)人尚未全職回國(guó)（來(lái)華）工作，或者回國(guó)（來(lái)華）工作不滿一年。獲資助通知后須辭去海外工作并全職回國(guó)（來(lái)華）工作不少于3年。
詳細(xì)申報(bào)條件請(qǐng)參見網(wǎng)址：
*國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目（海外）項(xiàng)目指南
（https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info94490.htm）
2．崗位待遇
（1）聘任為研究員（正高級(jí)編制崗位)、博士生導(dǎo)師。可加入建制化國(guó)家級(jí)研究團(tuán)隊(duì)，或獨(dú)立設(shè)立課題組、研究所協(xié)助建立研究團(tuán)隊(duì)。
（2）900萬(wàn)元以上的科研經(jīng)費(fèi)（含項(xiàng)目評(píng)估優(yōu)秀追加200萬(wàn)元）。
（3）提供具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇。
（4）除國(guó)家和中國(guó)科學(xué)院100萬(wàn)元生活補(bǔ)貼外，研究所提供租房補(bǔ)貼、特殊人才津貼、住房補(bǔ)貼等各項(xiàng)津補(bǔ)貼以及全方位的福利保障。
（5）其他支持：提供科研所需的辦公和實(shí)驗(yàn)用房；享受人才長(zhǎng)租房，提供直至退休的人才長(zhǎng)租房政策；按照相關(guān)政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學(xué)等。
申請(qǐng)程序
（一）招聘崗位全年有效。歡迎來(lái)電來(lái)信咨詢，并將個(gè)人簡(jiǎn)歷、已取得的代表性成果證明材料、今后的工作計(jì)劃等發(fā)送至：oematdev@semi.ac.cn ；
（二）通過答辯的申請(qǐng)人與半導(dǎo)體所簽訂工作意向協(xié)議書/聘用合同，依托半導(dǎo)體研究所申報(bào)中國(guó)科學(xué)院引才計(jì)劃，或者申報(bào)國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目（海外）。
聯(lián)系方式
地 址 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) （郵編：100083），
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所人事教育處
聯(lián)系人
光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室辦公室
陸老師、張老師
郵 箱 oematdev@semi.ac.cn
電 話 86-10-82304100
（來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）
