氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。其技術(shù)發(fā)展將推動(dòng)多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展，并滿足未來對(duì)高性能、高效能轉(zhuǎn)換和小型化的需求。
2023年11月27-30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
期間，“氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)“如期召開，本屆分會(huì)得到了三安光電股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司的協(xié)辦支持。分會(huì)上，來自加拿大多倫多大學(xué)、沙特國(guó)王科技大學(xué)、日本國(guó)立材料研究所、臺(tái)灣成功大學(xué)、日本愛發(fā)科株式會(huì)社、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院、西安電子科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、大連理工大學(xué)、深圳大學(xué)、湖南大學(xué)、南京大學(xué)、西交利物浦大學(xué)、致能科技、成都氮矽科技等國(guó)內(nèi)外實(shí)力派代表性科研力量及實(shí)力派企業(yè)專家齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)的前沿發(fā)展趨勢(shì)及最新動(dòng)向。電子科技大學(xué)集成電路研究中心主任/教授張波，加拿大多倫多大學(xué)教授、多倫多納米制造中心主任吳偉東共同主持了本屆分會(huì)。
電子科技大學(xué)集成電路研究中心主任/教授張波
加拿大多倫多大學(xué)教授、多倫多納米制造中心主任吳偉東
李清庭--臺(tái)灣元智大學(xué)前副校長(zhǎng)、臺(tái)灣成功大學(xué)特聘教授
《GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管》
牛山史三--日本愛發(fā)科株式會(huì)社首席技術(shù)官
《GaN濺射技術(shù)進(jìn)展》
于洪宇--南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授
《高性能Si基GaN器件和Ga2O3器件研究進(jìn)展》
黎子蘭--廣東致能科技有限公司總經(jīng)理
《氮化鎵功率半導(dǎo)體在中高壓領(lǐng)域的進(jìn)展》
李祥東--西安電子科技大學(xué)華山教授，廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心副主任
《氮化鎵高壓電力電子器件中試技術(shù)與平臺(tái)》
桑立雯--日本國(guó)立材料研究所獨(dú)立研究員
《GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器》
朱仁強(qiáng)--成都氮矽科技有限公司器件設(shè)計(jì)總監(jiān)
《增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展》
黃火林--大連理工大學(xué)教授
《基于電子模式GaN的MIS-HEMTS中的工藝和可靠性問題》
尹以安--華南師范大學(xué)研究員
《具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究》
劉新科--深圳大學(xué)副教授
《低成本垂直GaN功率器件》
陶明--湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院助理教授
《原位N2或H2/N2等離子體預(yù)處理全凹柵增強(qiáng)型LPCVD-Si3N4/PELD-AlN/GaN-MIS-HEMT中陷阱態(tài)的研究》
Vishal Khandelwal--沙特國(guó)王科技大學(xué)
《二維材料Ti3C2柵電極提升氮化鎵電子器件性能》
郭慧--南京大學(xué)
《NiO/AlGaN界面載流子輸運(yùn)與高壓RESURF p-NiO/AlAlGaN/GaN HEMT》
李昂--西交利物浦大學(xué)
《適用于48V應(yīng)用，具有25至250°C的高溫靈敏度,單片GaN雙管溫度傳感器》
（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>
