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斯達微電子高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片項目設(shè)備搬入

日期:2024-02-01 閱讀:319
核心提示:中電二公司2月1日消息顯示,其承建的嘉興斯達微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目FAB2首臺設(shè)備搬入儀

 中電二公司2月1日消息顯示,其承建的嘉興斯達微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目FAB2首臺設(shè)備搬入儀式近日順利舉行。

據(jù)介紹,浙江嘉興斯達微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目位于浙江嘉興南湖區(qū),總投資1.3億元,項目擬通過新建廠房、潔凈車間及動力站、氣站、倉庫等配套設(shè)施,用于實施高壓特色工藝功率芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目,具有科技含量高、產(chǎn)品應(yīng)用前景廣、國產(chǎn)替代實力強等優(yōu)勢。

 

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