據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“氮化鎵器件及其制造方法“，公開(kāi)號(hào)CN117637832A，申請(qǐng)日期為2022年8月。

專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種氮化鎵器件，包括：襯底層；位于所述襯底層之上的氮基半導(dǎo)體層；在所述氮基半導(dǎo)體層上形成的源電極、漏電極以及位于所述源電極和所述漏電極之間的柵結(jié)構(gòu)，所述柵結(jié)構(gòu)包括：鈍化層；位于所述鈍化層之上的浮柵，所述浮柵向所述源電極的一側(cè)延伸至所述氮基半導(dǎo)體層之上并與所述氮基半導(dǎo)體層接觸形成pn結(jié)二極管；位于所述浮柵之上的控制柵，所述控制柵向所述源電極的一側(cè)延伸至所述氮基半導(dǎo)體層之上，所述控制柵通過(guò)柵介質(zhì)層與所述浮柵和所述氮基半導(dǎo)體層隔離。