天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司申請一項(xiàng)名為“高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法“，公開號CN202410534321.3，申請日期為2024年4月。

專利摘要顯示，本申請公開了高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法，其中高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評估方法包括：在待測芯片N面電極上設(shè)置窗口；使待測芯片保持工作狀態(tài)，待測芯片量子阱有源區(qū)產(chǎn)生自發(fā)輻射；使自發(fā)輻射成像于待測芯片外部；在待測芯片外部通過光譜儀獲取自發(fā)輻射的光譜，得到待測芯片在工作狀態(tài)下的量子阱溫度的二維分布；在待測芯片外部通過CCD相機(jī)獲取自發(fā)輻射成像的圖像，得到待測芯片在工作狀態(tài)下的量子阱內(nèi)載流子的二維分布。本申請公開的高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法，能夠獲得分辨率自由調(diào)節(jié)的工作狀態(tài)下待測芯片量子阱內(nèi)溫度與載流子濃度的分布，操作方便，簡單易行，有效提高評估結(jié)果準(zhǔn)確度。

（來源：金融界）