7月24日，湖南三安半導(dǎo)體迎來了又一重要里程碑——芯片二廠M6B設(shè)備的入場儀式。在這個值得紀念的日子里，電力電子事業(yè)部總經(jīng)理、湖南三安總經(jīng)理江協(xié)龍先生與公司的高管團隊、各部門主管以及核心員工齊聚一堂，共同見證了這一激動人心的時刻。

江協(xié)龍先生在儀式上發(fā)表講話，他指出，M6B的成功建成和投產(chǎn)不僅是公司發(fā)展史上的一個標志性事件，更是一個嶄新的起點。站在這個新的起點上，湖南三安將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動的發(fā)展理念，不斷優(yōu)化和提升生產(chǎn)能力。在擴大產(chǎn)能的同時，公司也將致力于提高產(chǎn)品質(zhì)量，力爭打造國內(nèi)領(lǐng)先的8英寸SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈。

這一舉措預(yù)示著湖南三安SiC項目二期工程的即將全面貫通，為加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局、實現(xiàn)產(chǎn)線的正式投產(chǎn)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著M6B設(shè)備的入場，湖南三安將進一步提升其在SiC領(lǐng)域的競爭力，滿足市場對高性能SiC芯片的不斷增長的需求。

三安團隊在M6B大樓前為進機剪彩

湖南三安半導(dǎo)體的SiC項目總投資高達160億人民幣，目標是構(gòu)建一個兼容6英寸和8英寸SiC晶圓的全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。一旦項目全面達產(chǎn)，公司將擁有年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓和48萬片8英寸SiC晶圓的強大制造能力。

M6B作為該項目的關(guān)鍵組成部分，其投產(chǎn)情況自然成為業(yè)界關(guān)注的焦點。預(yù)計到今年12月，M6B將實現(xiàn)設(shè)備點亮和通線，屆時8英寸SiC芯片將正式投產(chǎn)，標志著湖南三安半導(dǎo)體將正式邁入8英寸SiC垂直整合制造商的行列。

未來，三安將充分發(fā)揮自身優(yōu)勢，加大研發(fā)投入，提高產(chǎn)能，共同推動8吋SiC芯片領(lǐng)域的發(fā)展。在市場拓展利好消息的加持下，三安有望加速8吋SiC從材料到器件模塊直至終端應(yīng)用全流程的落地實施，為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入強大動力。