天眼查顯示，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司近日取得一項名為“半導體器件的制備方法及半導體器件”的專利，授權公告號為CN118073206B，授權公告日為2024年7月23日，申請日為2024年4月22日。
本申請實施例涉及一種半導體器件的制備方法及半導體器件，屬于半導體技術領域。半導體器件的制備方法包括：提供半導體材料層，半導體材料層中包括第一器件區(qū)，第一器件區(qū)中包括漂移區(qū)和體區(qū)；在部分漂移區(qū)的表面形成場氧化層；形成從場氧化層的表面延伸至漂移區(qū)的內部的至少一個第一溝槽；形成覆蓋第一溝槽的內壁的第一介質層；在部分體區(qū)的表面形成柵介質層；形成填充于第一溝槽并延伸至部分場氧化層和柵介質層的表面的導電層；其中，位于第一溝槽中的導電層構成第一場板；位于第一場板和場氧化層的表面的導電層構成第二場板；位于柵介質層的表面的導電層構成柵電極層。如此，在有效提升器件擊穿電壓的同時使得器件的制備工藝較為簡化。
