近年來(lái)，隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應(yīng)用，大功率充電器也日益小型化。大眾對(duì)電子設(shè)備的頻繁使用以及電量焦慮，使得出行時(shí)的充電需求變得十分迫切。汽車駕駛艙作為一大頻繁的充電場(chǎng)所，為了在緊湊的點(diǎn)煙器空間里更輕松地應(yīng)對(duì)高功率手機(jī)、筆記本等設(shè)備的多端口充電需求，氮化鎵技術(shù)的加持顯得尤為重要。

近日，英諾賽科基于40V車規(guī)平臺(tái)推出了一款超小封裝的氮化鎵車規(guī)產(chǎn)品 INN040FQ045A-Q（40V/4.5mΩ，F(xiàn)CQFN 3mm*4mm封裝），當(dāng)前已通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。該產(chǎn)品具備小體積、低損耗、高頻高功率的優(yōu)點(diǎn)，不僅能縮小器件占板面積，同時(shí)還能滿足UMM（USB Multi-Connect Module）及UCM（USB Charging Module）等車載充電通訊模塊的大功率充電和高頻通訊需求，為新能源汽車的智能化、便捷化提供助力。

01產(chǎn)品特性

• 通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

• 采用先進(jìn)的超低導(dǎo)通電阻低壓技術(shù)

• 極低的柵極電荷

• 具有較小的芯片面積

• 零反向恢復(fù)充電電量

02產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

• INN040FQ045A-Q與傳統(tǒng)Si器件相比，具備以下優(yōu)勢(shì)：

• 超小封裝（FCQFN 3x4mm），較傳統(tǒng)DFN 5x6器件占板面積可縮小60%；

• 相比MOSFET效率提升0.7%以上，器件損耗減小23%；

• 支持超高開(kāi)關(guān)頻率（MHz）

03應(yīng)用領(lǐng)域

• 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

• 車載USB充電器

• 筆記本充電器

• 移動(dòng)電源

INN040FQ045A-Q規(guī)格書首頁(yè)

目前，INN040FQ045A-Q已進(jìn)入量產(chǎn)狀態(tài)，批量訂單交付中，可通過(guò)官網(wǎng)查詢?cè)敿?xì)產(chǎn)品規(guī)格書、可靠性報(bào)告、仿真模型等相關(guān)資料。