天眼查顯示，上海積塔半導體有限公司“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年8月9日，申請公布號為CN118471899A。
本發(fā)明提供了一種基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法。本發(fā)明通過兩次多晶硅生長刻蝕工藝，使得所形成的柵氧化層以及柵極的膜層厚度滿足MOSFET器件的相應工藝厚度要求的同時，所形成的淺溝槽隔離結構的頂面高于半導體襯底的表面，淺溝槽隔離結構的側壁與柵氧化層相接觸，能夠避免在后續(xù)刻蝕第二多晶硅層過程中對淺溝槽隔離結構頂角區(qū)域處的柵氧化層的破壞，實現對淺溝槽隔離結構頂角區(qū)域處的柵氧化層的保護，增加淺溝槽隔離結構頂角區(qū)域處的柵氧化層工藝厚度，最終優(yōu)化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件擁有更高的擊穿電壓以及更長的可靠性壽命。
