國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 221979113 U，申請(qǐng)日期為2024年3月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置，交流電阻加熱器包括底部發(fā)熱體及中部發(fā)熱體；底部發(fā)熱體用于加熱坩堝內(nèi)物料裝填區(qū)底部的物料，中部發(fā)熱體用于加熱坩堝內(nèi)物料裝填區(qū)中上部的物料，且中上部物料的中部發(fā)熱體沿軸向單位長(zhǎng)度的發(fā)熱量大 于底部發(fā)熱體沿軸向單位長(zhǎng)度的發(fā)熱量，如此，可以在物料的底部與中上部之間形成軸向溫度梯度使得底部物料的溫度低于中上部物料的溫度底部分解的SiC氣相組分在上升過(guò)程中不會(huì)在溫度較高的物料表面結(jié)晶，而是直接進(jìn)入生長(zhǎng)腔體內(nèi)，并通過(guò)擴(kuò)散或?qū)α髟谧丫辖Y(jié)晶，提高了晶體的生長(zhǎng)速度，且有助于4HSiC晶型的穩(wěn)定。