由智新半導(dǎo)體有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 041—202X《基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法》已完成征求意見稿的編制，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會(huì)。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2025年3月24日起開始征求意見，截止日期2025年4月23日。

T/CASAS 041—202X《基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法》規(guī)定了SiC功率半導(dǎo)體模塊的變頻輸出測(cè)試方法（基于無(wú)功負(fù)載），包括：測(cè)試裝置、測(cè)試程序以及失效判據(jù)。

本文件適用于SiC MOSFET、Si IGBT或混合模塊的變頻輸出測(cè)試、三相逆變拓?fù)潆娐窇?yīng)用的功率模塊篩選（其他拓?fù)潆娐窇?yīng)用可參照使用）。本文件也適用于分立器件的篩選測(cè)試。

征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至：casas@casa-china.cn。

智新半導(dǎo)體有限公司

智新半導(dǎo)體公司由東風(fēng)公司旗下智新科技和株洲中車時(shí)代于2019年共同成立，主要從事車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊的研發(fā)生產(chǎn)。2021年，公司在武漢經(jīng)開區(qū)建成了IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化基地，是華中地區(qū)首只量產(chǎn)的IGBT模塊產(chǎn)品。2024年4月，智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線在武漢經(jīng)開區(qū)投用。半年后，智新半導(dǎo)體二期新產(chǎn)線月度產(chǎn)量超過(guò)3.5萬(wàn)只，創(chuàng)該產(chǎn)線投產(chǎn)以來(lái)月度產(chǎn)量的歷史新高。

公司已完成Si IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT模塊的產(chǎn)品布局，電壓覆蓋650V-2000V，滿足50kW-600kW電驅(qū)需求。

目前智新半導(dǎo)體的產(chǎn)品已經(jīng)在比亞迪、嵐圖汽車、猛士科技、東風(fēng)乘用車、東風(fēng)商用車等多款車型上搭載，累計(jì)為近百萬(wàn)輛新能源汽車裝上自主“大腦”。其開發(fā)的功率模塊五大產(chǎn)品系列覆蓋峰值60KW-400KW電機(jī)的需求，可滿足整車架構(gòu)400V和800V高壓的需求。智新半導(dǎo)體公司相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，2025年客戶訂單有望較2024年增長(zhǎng)近一倍。后續(xù)，公司將適時(shí)投建第三條產(chǎn)線，以滿足客戶持續(xù)增長(zhǎng)的需求。