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CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

日期:2025-05-16 閱讀:318
核心提示:5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。期間,蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司將亮相此次會議。值此,誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

頭圖

5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.jycsgw.cn)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。 

蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司作為協(xié)辦單位將亮相會議。屆時,鎵和半導(dǎo)體董事長、南京郵電大學(xué)唐為華教授將受邀出席論壇,并帶來《超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料與器件研究進(jìn)展》的大會報告。值此,誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會,蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

0512-唐為華

嘉賓簡介 

唐為華,南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)教授、博士生導(dǎo)師,我國寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料與器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍人物之一。入選國家“新世紀(jì)百千萬人才工程”、中國科學(xué)院“百人計劃”,江蘇省“雙創(chuàng)人才”,江蘇省“雙創(chuàng)團(tuán)隊”領(lǐng)軍人才,享受國務(wù)院政府特殊津貼,獲北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎和二等獎各一項,浙江省自然科學(xué)獎三等獎一項。長期從事超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料和器件研究,主持包括國家重點研發(fā)計劃課題、國家自然科學(xué)基金重點項目、北京市科技計劃專項、江蘇省雙創(chuàng)團(tuán)隊項目等國家級省部級重大重點課題二十余項。已在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)雜志上發(fā)表SCI收錄論文300多篇,ESI高被引論文20多篇,論文被引用17000多次,H因子65,授權(quán)發(fā)明專利30多項。連續(xù)四年(2021/2022/2023/2024)獲評愛思維爾中國高被引學(xué)者(Most Cited Chinese Researchers),連續(xù)五年入選斯坦福發(fā)布的World Top 2% Scientists榜單。 

南京郵電大學(xué)氧化鎵團(tuán)隊(IC-GAO)是國內(nèi)最早開展氧化鎵材料與器件研究的團(tuán)隊之一,多年來聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵的單晶材料生長、外延薄膜制備、信息功能器件和功率電子器件研制。團(tuán)隊孵化了江蘇省第一家超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵科創(chuàng)企業(yè)-蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司,形成了包括裝備制造、大英寸單晶制備和加工、高質(zhì)量外延、高集成器件在內(nèi)的核心技術(shù)。南郵氧化鎵團(tuán)隊將立足高校突破基礎(chǔ)技術(shù)研究,借助企業(yè)平臺轉(zhuǎn)化創(chuàng)新成果,致力于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵技術(shù)的引領(lǐng)。 

公司簡介

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蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司是一家專注于氧化鎵材料研發(fā)的高科技企業(yè),始終將引領(lǐng)氧化鎵技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用奉為使命。是國內(nèi)為數(shù)不多的,具備氧化鎵晶體生長、薄膜外延、相關(guān)器件及專用生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)的全方位技術(shù)與能力的公司。公司創(chuàng)始人唐為華教授,在氧化鎵材料領(lǐng)域深耕十余年,率先在國內(nèi)布局并實現(xiàn)氧化鎵產(chǎn)業(yè)化,并于2021年成立蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司。自成立以來,公司在氧化鎵晶體生長方面取得了一系列創(chuàng)新性成果,成功實現(xiàn)了晶體大尺寸、高質(zhì)量、多種晶面類型的突破,為行業(yè)發(fā)展注入了強勁動力。未來,公司將以技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動力,持續(xù)探索氧化鎵材料的更高潛能,推動科技與產(chǎn)業(yè)深度融合,致力于成為建設(shè)高效、綠色、智能化未來的關(guān)鍵力量。

鎵和半導(dǎo)體

 時間地點

 5月22日-24日

(5月22日下午報到,23-24日會議日)

南京熹禾涵田酒店(南京市浦口區(qū)象賢路158號) 

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位:

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

主辦單位:南京郵電大學(xué)極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.jycsgw.cn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位:南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持:電子科技大學(xué)南京郵電大學(xué)南通研究院蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司揚州揚杰電子科技股份有限公司

大會主席:郭宇鋒 聯(lián)合主席:柏松 張波 趙璐冰程序委員會:盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯  鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任:姚佳飛  

副主任:涂長峰

成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等 

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料;退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù);制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料(柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料)的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、制造與集成技術(shù);人工智能驅(qū)動的功率器件仿真,建模與設(shè)計、封裝與測試 

會議日程

議程

備注:上述日程或有更新僅供參考,最終以現(xiàn)場實際為準(zhǔn)!

會議參與擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、香港大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、國聯(lián)萬眾、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半導(dǎo)體、中科院納米所、九峰山實驗室、平湖實驗室、北京工業(yè)大學(xué)、深圳大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)……等等 

會議參與

動注冊:   

注冊費2800元,5月15日前注冊報名2500元(含會議資料袋,23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐)

繳費方式:

①銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動支付

移動支付 

備注:通過銀行匯款/移動支付,請務(wù)必備注:單位簡稱+姓名+南京,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。 

掃碼預(yù)報名:

掃碼報名 

備注:此碼為預(yù)報名通道,完成信息提交后,

需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。

 

論文投稿及報告咨詢:

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯(lián)系:

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com張

女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載:投稿模板_CSPSD2025.docx投稿文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(英文)》。 

會議酒店:

會議酒店  

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價格:標(biāo)間&大床房,400元/晚,含早餐

地址:南京市浦口區(qū)象賢路158號

聯(lián)系人:陸經(jīng)理 

電話:15050562332、025-58628888

郵箱:503766958@qq.com

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