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標準 | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

日期:2025-04-18 閱讀:256
核心提示:2025年4月15日,按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會(CASAS)相關(guān)管理辦法,經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由杭州飛

 2025年4月15日,按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會(CASAS)相關(guān)管理辦法,經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由杭州飛仕得科技股份有限公司牽頭提出的《SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法》團體標準立項建議,詳細信息如下:


秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知,組建標準起草小組,請CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件(casas@casa-china.cn)。

杭州飛仕得科技股份有限公司


杭州飛仕得科技股份有限公司(Firstack)圍繞IGBT、SiC MOSFET等功率半導體的應用,專業(yè)從事功率系統(tǒng)核心部件及功率半導體檢測設(shè)備研發(fā)和銷售。產(chǎn)品已批量應用于風力發(fā)電、光伏發(fā)電、礦用變頻、新能源汽車、儲能、輸配電、軌道交通等多個高可靠性領(lǐng)域。

Firstack高度重視技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品研發(fā)和人才培養(yǎng),公司為國家專精特新“小巨人”企業(yè),擁有博士后科研工作站以及經(jīng)浙江省科技廳認定的省級企業(yè)研究院。公司堅持創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展的戰(zhàn)略,自主研制的多項產(chǎn)品被評為“浙江省科學技術(shù)成果”、“浙江省級工業(yè)新產(chǎn)品”,整體技術(shù)實力在業(yè)內(nèi)受到廣泛認可。


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