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江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

日期:2025-05-07 閱讀:241
核心提示:目前,Si基和GaAs基器件在性能上存在一定的局限性,特別是在高頻微波與大功率應(yīng)用方面難以同時達(dá)到理想狀態(tài)。具體而言,Si基器件

目前,Si基和GaAs基器件在性能上存在一定的局限性,特別是在高頻微波與大功率應(yīng)用方面難以同時達(dá)到理想狀態(tài)。具體而言,Si基器件雖然具備成熟的制造工藝和較低的成本,但在高頻性能上有所欠缺;而GaAs基器件雖然在高頻領(lǐng)域表現(xiàn)出色,但其大功率處理能力卻相對有限。

此外,就GaN基商用微波功率器件而言,盡管其在高頻微波與大功率應(yīng)用方面展現(xiàn)出巨大的潛力,但當(dāng)前國內(nèi)在該領(lǐng)域尚未能實現(xiàn)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的量產(chǎn)方案。這一現(xiàn)狀限制了GaN基器件在國內(nèi)市場的廣泛應(yīng)用和進(jìn)一步發(fā)展。 

關(guān)鍵技術(shù)點

面向3-28GHz的5G微波功率放大器

采用了納米柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計,并結(jié)合了低接觸電阻的歐姆工藝,以此為基礎(chǔ),創(chuàng)新性地開發(fā)了拓?fù)渥杩蛊ヅ渚W(wǎng)絡(luò),以提升放大器的性能。 

面向65/100W20A的功率開關(guān)器件:

采用了MIS自對準(zhǔn)柵極結(jié)構(gòu),并結(jié)合了優(yōu)化的鈍化技術(shù),以確保器件在高功率條件下的穩(wěn)定性和可靠性。 

合作成效

本項目成果申請專利2項,授權(quán)專利1項。已完成功能驗證,證實該方案可行。未來可用于手機電腦快速充電等充電領(lǐng)域。

 專家介紹

 

敖金平教授

江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士生導(dǎo)師 

科學(xué)研究

曾任電子部第十三研究所研究室副主任,高級工程師,從事 GaAs器件與集成電路的研究工作。主持過863計劃、預(yù)研和國家攻關(guān)計劃等項目。2001年赴日本國立德島大學(xué)工作,從事GaN材料與器件的研究工作。主持或參與過日本科學(xué)研究輔助金、JST、SCOPE和NEDO等多個項目的研究。與豐田、住友電工、日亞化學(xué)等日本著名公司有多年的合作關(guān)系。2016年入選國家高層次人才計劃,任西安電子科技大學(xué)特聘教授。作為項目負(fù)責(zé)人,完成了國家“十三五”重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點專項“GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)”項目。在國際學(xué)術(shù)期刊和國際會議上發(fā)表論文300多篇,擁有三十多項發(fā)明專利。獲電子工業(yè)部科技進(jìn)步獎三等獎、陜西省科學(xué)技術(shù)獎一等獎。 

學(xué)術(shù)兼職及榮譽

國際電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)高級會員

華中科技大學(xué)客座教授(2010年-2012年)

徳島大學(xué)全球化大學(xué)院工學(xué)教育獎(2012年)

徳島大學(xué)工學(xué)部國際化貢獻(xiàn)獎(2013年)

深圳大學(xué)訪問教授(2017年-2019年)

  

王霄副教授

江南大學(xué)集成電路學(xué)院碩士生導(dǎo)師

科學(xué)研究

依托江南大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心,開展基于寬禁帶半導(dǎo)體器件、功率器件與集成電路、智能傳感系統(tǒng)等方向的研究。在國際刊物(IEEE EDL、IEEE TED等)發(fā)表論文40多篇,其中第一作者或通訊作者16篇,主持國家自然科學(xué)基金青年項目、江蘇省重點研發(fā)計劃子課題、重慶市科技創(chuàng)新重大研發(fā)項目子課題和中央高??蒲袠I(yè)務(wù)費等多項,參與國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金重大項目、國家自然科學(xué)基金面上項目等多項,申請/授權(quán)發(fā)明專利20余項,參加國際學(xué)術(shù)會議IFWS、APCSCRM、ISNE、INPEC等并作邀請報告多次,獲中國電子學(xué)會科技進(jìn)步二等獎1項,指導(dǎo)學(xué)生獲“挑戰(zhàn)杯”、“集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽”、“??箼C器人開發(fā)者大賽”等競賽國家級獎項多次。 

學(xué)術(shù)兼職及榮譽

中國電子學(xué)會科技進(jìn)步二等獎(2022)

ISNE國際會議化合物半導(dǎo)體材料與器件分會場聯(lián)席主席(2022)

西安市D類人才

優(yōu)秀本科畢業(yè)設(shè)計指導(dǎo)教師

IEEE Electron Device Letters/ IEEE Transactions on Electron Devices/ Journal of Physics D-Applied Physics/Nanoscale Research Letters/Current Applied Physics等期刊審稿人 

聯(lián)系方式

敖金平教授,江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士生導(dǎo)師。

聯(lián)系方式:jpao1800@jiangnan.edu.cn 

王霄副教授,江南大學(xué)集成電路學(xué)院碩士生導(dǎo)師。

聯(lián)系方式:x.wang@jiangnan.edu.cn

賈捷,江南大學(xué)無錫高新區(qū)工業(yè)智能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新研究院。

聯(lián)系方式:17851306116

(來源:江南大學(xué)-高新區(qū)工業(yè)智能研究院)

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