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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導體向港交所遞交上市申請

突發(fā)！拜登政府對中國成熟制程芯片發(fā)起301 調(diào)查

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目竣工投產(chǎn)

總投資12億！晶益通半導體項目封頂

5億！這一激光項目年產(chǎn)1億顆激光芯片

3億元！又一半導體項目正式簽約！

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

Science：AI驅(qū)動閉環(huán)設(shè)計，加速高性能有機半導體材料發(fā)現(xiàn)

總投資3億元！合肥新站高新區(qū)新增一半導體項目，明年開工建設(shè)

韓國2025年將豪擲25.5萬億韓元投資半導體、顯示器等先進產(chǎn)業(yè)

創(chuàng)銳光譜獲近億元Pre-A輪融資

為什么要對電動汽車供電設(shè)備實施強制性產(chǎn)品認證？

基于新型SiC復合襯底的低成本MOSFET取得重要進展

港大工程學者開發(fā)革命性的鉆石制備技術(shù)

東方晶源榮獲2025 IC風云榜“年度領(lǐng)軍企業(yè)獎”

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

美國商務(wù)部批準SK海力士提供4.58億美元《芯片法案》補貼

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

3.5億！一半導體項目在皖開工

中山大學光子感知團隊在國際頂級光學期刊《Laser & Photonics Review》發(fā)文

烽火通信5G承載應(yīng)用及數(shù)字經(jīng)濟研發(fā)生產(chǎn)基地項目（一期）一標段全面封頂

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達產(chǎn)

總投資1.2億湖州奕富半導體研磨裝備國產(chǎn)化項目簽約，

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