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中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會(huì)談聯(lián)合聲明

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)章文通：基于電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉?jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬：集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

揚(yáng)杰科技10億元SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開工

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元

駁回英飛凌上訴，英諾賽科贏得管轄權(quán)異議最高院終裁勝訴

中美達(dá)成重要共識(shí)，5月12日發(fā)布聯(lián)合聲明

寧德時(shí)代香港IPO籌資40億美元限制美國境內(nèi)投資者參與

匠嶺科技完成數(shù)億元融資

特朗普：對(duì)華關(guān)稅145%到頂了，要降

星曜半導(dǎo)體完成收購韓國威盛旗下天津封測(cè)工廠

總投資約60億，芯核集群先進(jìn)封裝項(xiàng)目落地蕭山經(jīng)開區(qū)

杉昀集成電路先進(jìn)封測(cè)集群項(xiàng)目落戶常熟經(jīng)開區(qū)

CSPSD 2025前瞻| 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所程新紅：寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

英飛凌推出SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)

AI驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，從材料/器件到EDA/設(shè)備的多維探索

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

TMC2025車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透：破解新能源“卡脖子”技術(shù)

總投資約11億元，南京芯德科技封裝產(chǎn)線升級(jí)項(xiàng)目新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|濟(jì)南大學(xué)張春偉：場(chǎng)板技術(shù)中的電場(chǎng)調(diào)制機(jī)制：基于電荷的視角

會(huì)議通知 | 2025第三代半導(dǎo)體支撐新能源汽車創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇

九峰山實(shí)驗(yàn)室2025技術(shù)服務(wù)體系發(fā)布

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

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