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連科半導體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術取得突破

中國科學院半導體所在二維陣列激光器方面取得重要進展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進展

晶圓級高精度倒裝鍵合機采購招標公告

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質量GaN單晶襯底

廈門大學-廈門市未來顯示技術研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學技術大學團隊研制出毫秒級可集成量子存儲器

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結構

三星啟動1nm工藝研發(fā) 2029年后量產

中南大學何軍、鐘綿增，浙江大學李京波：通過調控電場分布實現高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

中國科學技術大學在日盲紫外光電探測器研究中取得新進展

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

中國科學院關于EDA技術創(chuàng)新的三篇論文被DAC2025錄用

中科大微電子學院在GaN器件輻照效應研究方向取得重要進展

全球首發(fā)！復旦團隊研制二維半導體芯片“無極”

西安電子科技大學郝躍院士團隊常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

日本Rapidus擬7月完成2納米制程工藝半導體試產

采用金屬有機化學氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

12英寸碳化硅襯底實現激光剝離

寧波材料所在超寬禁帶半導體基日盲紫外探測領域取得系列進展

中科院DUV光源新突破！

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科學院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測領域取得新進展

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質結深紫外LED芯片

清華大學化學系馬冬昕團隊開發(fā)出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦量子點深紅光器件

浙大團隊最新《Science》：半赫斯勒窄帶半導體材料的壓電效應

材料深一度|催化反應技術分類及應用概述

新型手性有機半導體面世

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