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南京大學團隊在國際功率半導體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應用

沙特KAUST李曉航團隊：STO新型制備工藝實現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

深圳平湖實驗室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學術(shù)會議ISPSD2025

復旦大學研究人員等在新型半導體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進展

浙江大學電氣工程學院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學在寬禁帶半導體功率器件領(lǐng)域取得突破性進展

集成電路學院功率集成技術(shù)實驗室第9次斬獲IEEE ISPSD 發(fā)表論文數(shù)全球第一

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

大連理工大學團隊：通過提高晶體質(zhì)量增強 β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領(lǐng)域取得新進展

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

北京大學團隊成功研制無閾值電壓負漂650V/10A增強型GaN器件

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

中國科學院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進展

中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

連科半導體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

中國科學院半導體所在二維陣列激光器方面取得重要進展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進展

晶圓級高精度倒裝鍵合機采購招標公告

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

廈門大學-廈門市未來顯示技術(shù)研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學技術(shù)大學團隊研制出毫秒級可集成量子存儲器

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

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