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連科半導體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術取得突破

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

廈門大學-廈門市未來顯示技術研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中科院DUV光源新突破！

實現(xiàn)技術突破！我國成功研制出這一光子芯片

蘭州大學研究團隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

北京大學王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領域取得重大突破

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

寧波材料所與鄭州大學實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領域取得突破性進展

哈爾濱工業(yè)大學在碳化硅集成光量子糾纏器件領域取得新突破

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術突破

1萬伏！我國實現(xiàn)6英寸AlN單晶復合襯底和晶圓制造全流程突破

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

至芯半導體取得重大突破，推出高光效UV器件

我國在太陽能電池領域取得新突破

電子科大國家工程技術研究中心在二維單相多鐵方向取得重大突破

北京大學電子學院陳景標研究團隊在原子鐘領域取得重要突破

Nature | 康奈爾大學：光電功能器件最新突破

九峰山實驗室再次在硅光子集成領域取得突破性進展

中國科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領域取得新突破

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術

國內(nèi)高校實現(xiàn)Micro LED技術突破，涉及深紫外、光通訊

我國科學家實現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

西電在邏輯運算器件領域取得重要突破

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)團隊：積沙成塔，用“芯”取得新突破

中國科學家在半導體領域獲突破登上《自然》雜志

Nano Lett.∣高效載流子倍增實現(xiàn)紫外光電探測器EQE突破

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