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半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了接近體塊級(jí)質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

Chiplet成半導(dǎo)體性能提升重要路徑

中科院宣布，光計(jì)算芯片領(lǐng)域新突破！

【國(guó)際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過(guò)率AlN單晶襯底

簡(jiǎn)述GaN 外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

國(guó)際團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種“3D光量子存儲(chǔ)器”原創(chuàng)技術(shù)

中國(guó)科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

上海光機(jī)所在特殊波長(zhǎng)的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進(jìn)展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

臺(tái)積2納米試產(chǎn) 有動(dòng)作了

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

簡(jiǎn)述半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

中國(guó)電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過(guò)技術(shù)鑒定

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布

廈門(mén)大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)表Mini-LEDs非接觸檢測(cè)新技術(shù)

廈門(mén)大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展

中國(guó)科大參與實(shí)現(xiàn)“超快調(diào)速”自旋量子比特

廈大團(tuán)隊(duì)在Micro-LED全彩顯示技術(shù)方面取得突破

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)?；a(chǎn)取得重大技術(shù)突破

南科大化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

國(guó)內(nèi)首次太赫茲軌道角動(dòng)量的實(shí)時(shí)無(wú)線傳輸通信實(shí)驗(yàn)完成 6G關(guān)鍵技術(shù)有新突破

中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展候選推薦——溶液生長(zhǎng)BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高靈敏X-射線探測(cè)

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