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國(guó)內(nèi)首家！廈門大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

世界首例！西湖大學(xué)發(fā)現(xiàn)具有本征相干性的光陰極量子材料

簡(jiǎn)述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

內(nèi)置深度學(xué)習(xí)算法|OPT（奧普特）智能讀碼器精準(zhǔn)識(shí)碼

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

東大科研團(tuán)隊(duì)3篇論文入選第70屆“芯片設(shè)計(jì)國(guó)際奧林匹克會(huì)議”（ISSCC）

西安郵電大學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成功制備高耐壓性能半導(dǎo)體材料

簡(jiǎn)述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展

突破！中國(guó)科大研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性開發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫方法

臺(tái)灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)！

半導(dǎo)體SERS基底非吸附分析物檢測(cè)獲進(jìn)展

半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進(jìn)展

簡(jiǎn)述SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動(dòng)下 PBN（熱解氮化硼）市場(chǎng)需求空間廣闊

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

南科大電子系化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡(jiǎn)述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡(jiǎn)述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團(tuán)隊(duì)利用藍(lán)紫光LED泵浦實(shí)現(xiàn)雙波長(zhǎng)放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

華中科技大學(xué)又一篇Science

東大團(tuán)隊(duì)研究成果榮膺2022年度“中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

簡(jiǎn)述氮化鎵的合成制備及展望

2022年度中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

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