亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<delect id="ii4ge"></delect>

<delect id="ii4ge"></delect>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

壁仞科技首款通用GPU交付流片采用7nm制程、明年面向市場(chǎng)發(fā)布

國(guó)產(chǎn)替代，存儲(chǔ)先行||宏旺ICMAX獲“存儲(chǔ)突破獎(jiǎng)”

再破“卡脖子”難題！國(guó)內(nèi)集成電路裝備添重器

我國(guó)半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割技術(shù)重大突破：100nm 提升至 50nm

南方科技大學(xué)孫小衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)噴墨打印制備出業(yè)界壽命最長(zhǎng)的量子點(diǎn)發(fā)光二極管

日企致力于開(kāi)發(fā)功率器件應(yīng)用材料以減工時(shí)

Intel預(yù)計(jì)2024年首發(fā)20A埃米工藝

中國(guó)科大在半導(dǎo)體p-n異質(zhì)結(jié)中實(shí)現(xiàn)光電流極性反轉(zhuǎn)

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域取得關(guān)鍵突破！

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

日產(chǎn)與早稻田大學(xué)測(cè)試還原工藝可從舊電機(jī)中還原出98%的稀土元素

突破“卡脖子”環(huán)節(jié)！國(guó)產(chǎn)晶圓打碼機(jī)設(shè)備WM-SC800R通過(guò)驗(yàn)收

芯和半導(dǎo)體聯(lián)合新思科技發(fā)布“3DIC先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析全流程”EDA平臺(tái)

高壓大功率碳化硅電力電子器件研制進(jìn)展

首款隱形AR眼鏡Mojo Lens 最新進(jìn)展，具備14000 PPI的Micro LED顯示屏

武漢光電中心緊湊寬帶硅基集成艾里光束發(fā)射器

黃勁松最新Science：穩(wěn)定基底界面！高效率鈣鈦礦光伏組件

北理工在小分子有機(jī)太陽(yáng)能電池優(yōu)化策略方面取得進(jìn)展

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)與華為合作成功研制智能表面新架構(gòu)助力5G網(wǎng)絡(luò)性能提升

固體所研發(fā)出新型高效固態(tài)熱二極管

秘密武器“光疫苗”，保障中國(guó)奧運(yùn)代表團(tuán)新冠零感染！

廈門大學(xué)盧英華教授課題組JHM：UV輻照用于控制水工業(yè)設(shè)施生物膜綜述

清華航天航空學(xué)院李曉雁課題組揭示含不同多型體納米孿晶金剛石的增韌和裂紋愈合機(jī)制

科學(xué)家首次成功超導(dǎo)體與半導(dǎo)體結(jié)合

進(jìn)展|中科院物理所發(fā)現(xiàn)一類理想的超滑體系：大晶格失配范德華異質(zhì)界面

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

TCL華星開(kāi)發(fā)全新量子點(diǎn)圖案化技術(shù)：大于 1000PPI

鈉電池來(lái)了！鋰電池危險(xiǎn)了？

玻璃襯底上首次“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

第27頁(yè)/共35頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<dl id="igigg"><noframes id="igigg"></noframes></dl>