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蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

北京大學(xué)王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平

西湖儀器：超薄片單晶金剛石加工技術(shù)新突破！

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進(jìn)展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所集體導(dǎo)模共振手性激光器研發(fā)取得進(jìn)展

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

復(fù)旦大學(xué)田朋飛教授課題組首次在實(shí)驗(yàn)層面實(shí)現(xiàn)了雨天環(huán)境下30 Gbps的VLC系統(tǒng)

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功制備國內(nèi)首個氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

中國科學(xué)院微電子所團(tuán)隊(duì)在高速串行接口芯片方面取得新進(jìn)展

中國科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

突破芯片散熱瓶頸！天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)全球最小高能效MEMS冷卻器

我國科學(xué)家在強(qiáng)磁場技術(shù)領(lǐng)域取得新突破

浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)Nat.Commun.：量子點(diǎn)LED大突破！亮度翻倍，光效超國標(biāo)，2035年照明技術(shù)提前實(shí)現(xiàn)！

新突破！我國成功研發(fā)蚊子大小仿生機(jī)器人

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

沙特KAUST李曉航團(tuán)隊(duì)：STO新型制備工藝實(shí)現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學(xué)術(shù)會議ISPSD2025

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團(tuán)隊(duì)五項(xiàng)重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

集成電路學(xué)院功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室第9次斬獲IEEE ISPSD 發(fā)表論文數(shù)全球第一

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

大連理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)：通過提高晶體質(zhì)量增強(qiáng) β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

中科院蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)與合作者在氮化鎵紫外探測領(lǐng)域取得新進(jìn)展

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

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