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基于SiC逆變器的電動汽車永磁同步電機控制系統(tǒng)研究

SK海力士開發(fā)出下一代智能內(nèi)存芯片技術(shù)PIM

中國科大潘建偉院士團(tuán)隊等與海外團(tuán)隊合作《Science》發(fā)文報道首次觀測到費米超流中的熵波臨界發(fā)散

中科院蘇州納米所團(tuán)隊在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機理研究獲新進(jìn)展

碳化硅激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化中電科二所取得突破性進(jìn)展

首次成功將超薄半導(dǎo)體和超導(dǎo)體結(jié)合，實現(xiàn)以零電阻導(dǎo)電

中國科大郭光燦院士團(tuán)隊在硅基半導(dǎo)體自旋量子比特操控研究中取得進(jìn)展

國際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國際首次超越SiC理論極限

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

復(fù)旦大學(xué)袁澤興：基于玻璃封裝高穩(wěn)定鈣鈦礦納米晶色轉(zhuǎn)換材料的高速水下無線光通信

華南理工大學(xué)李國強教授：可見光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

丹麥技術(shù)大學(xué)副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺

光通信技術(shù)未來更加凸顯其重要性，聽專家學(xué)者們怎么說？！

中科院半導(dǎo)體所熒光型LED的OOK調(diào)制速率突破1Gbps

重慶郵電大學(xué)成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體功率芯片

浙大發(fā)布兩款超導(dǎo)量子芯片關(guān)鍵指標(biāo)實現(xiàn)新突破

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪娦虯lGaN/GaN HEMTs

一文看懂半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備

中科大在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進(jìn)展

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

壁仞科技首款通用GPU交付流片采用7nm制程、明年面向市場發(fā)布

國產(chǎn)替代，存儲先行||宏旺ICMAX獲“存儲突破獎”

再破“卡脖子”難題！國內(nèi)集成電路裝備添重器

我國半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割技術(shù)重大突破：100nm 提升至 50nm

南方科技大學(xué)孫小衛(wèi)教授團(tuán)隊通過噴墨打印制備出業(yè)界壽命最長的量子點發(fā)光二極管

日企致力于開發(fā)功率器件應(yīng)用材料以減工時

Intel預(yù)計2024年首發(fā)20A埃米工藝

中國科大在半導(dǎo)體p-n異質(zhì)結(jié)中實現(xiàn)光電流極性反轉(zhuǎn)

南京大學(xué)團(tuán)隊在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域取得關(guān)鍵突破！

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

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