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成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)?；a(chǎn)取得重大技術(shù)突破

南科大化夢媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

國內(nèi)首次太赫茲軌道角動量的實(shí)時(shí)無線傳輸通信實(shí)驗(yàn)完成 6G關(guān)鍵技術(shù)有新突破

中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高靈敏X-射線探測

簡述激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

簡述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究

上海微系統(tǒng)所等在自參考太赫茲雙光梳方面取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)攻克激光雷達(dá)抗干擾和高精度并行探測兩個(gè)世界性難題

基于金剛石的先進(jìn)熱管理技術(shù)研究進(jìn)展

山東大學(xué)陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)提出一種新型氧化物X射線探測材料的設(shè)計(jì)思路

中國科大制備出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦單晶LED

打破國外壟斷武漢先進(jìn)院有機(jī)硅材料制備技術(shù)取得突破

簡述碳化硅襯底制備的重點(diǎn)與難點(diǎn)

復(fù)旦研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)單芯片紫光Micro-LED超過10Gbps通信速率

簡述MOSFET與IGBT的區(qū)別

簡述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

第三代半導(dǎo)體SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

中國科大首次實(shí)現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進(jìn)展

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進(jìn)展

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

國際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

中國科大在電源管理芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

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