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南京南瑞半導(dǎo)體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

飛锃半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

納芯微與大陸集團(tuán)合作，聯(lián)合開發(fā)汽車壓力傳感器芯片

光谷機(jī)器人生態(tài)創(chuàng)新中心啟動，首批高校和企業(yè)入駐

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐

合肥晶合集成電路申請一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐 | IFWS2024 前瞻

蘇州敏芯微電子申請力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

德州儀器新氮化鎵工廠投產(chǎn)

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟

華潤微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

機(jī)器視覺千億藍(lán)海爆發(fā)，華漢偉業(yè)憑什么引領(lǐng)行業(yè)革新？

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計2025年試生產(chǎn)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設(shè)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對位系統(tǒng)及方法”專利獲授權(quán)

米家智能小家電拆解匯總：小米的元器件供應(yīng)商都有哪些？

格蘭菲申請功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導(dǎo)體元器件項(xiàng)目開工奠基

廈門三安集成電路申請射頻功率放大器相關(guān)專利

忱芯科技申請?zhí)蓟韫β拾雽?dǎo)體器件的驅(qū)動板和測試方法專利

【南昌光電博覽會】聚焦半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝發(fā)展

左藍(lán)微電子高性能5G射頻濾波器項(xiàng)目啟動

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

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