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元器件采購商不想被坑？認(rèn)準(zhǔn)這一招！

芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

2024南昌光電博覽會前瞻：半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝

揚(yáng)杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

芯投微SAW濾波器晶圓制造封裝工藝通線

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

英諾激光：公司已實現(xiàn)批量供應(yīng)碳化硅退火制程的激光器

揚(yáng)杰科技申請一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

美國ITC對特定半導(dǎo)體器件及其下游產(chǎn)品啟動337調(diào)查

總投資50億，半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目開工！

長盈精密接待北美人形機(jī)器人公司F客戶高層到訪

日本航空電子高端電子元器件項目簽約無錫

順絡(luò)電子：公司數(shù)據(jù)中心目前主要覆蓋SSD、DDR5、服務(wù)器領(lǐng)域的客戶

基于高端激光器光芯片的光通信算力產(chǎn)業(yè)園項目簽約

納特斯獲新一輪融資，為半導(dǎo)體等領(lǐng)域客戶提供精密儀器

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

欣代半導(dǎo)體器件東寶智造產(chǎn)業(yè)園項目簽約

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器

電動工具研討會展商陣容揭曉，您的元器件選型指南！

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星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器硅基晶圓片項目重大進(jìn)展！

左藍(lán)微電子完成億元B+輪融資，持續(xù)打造射頻濾波器性能新高度

晶旭半導(dǎo)體高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目主體封頂

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

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