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時(shí)代電氣IGBT制氫電源設(shè)備累計(jì)交付突破100臺(tái)

中微創(chuàng)芯突破 “卡脖子” 技術(shù)！國(guó)產(chǎn)化逆導(dǎo) IGBT 功率模塊通過(guò)科技查新，打破國(guó)外壟斷！

中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域再次實(shí)現(xiàn)重大突破

三項(xiàng)首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問(wèn)世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見(jiàn)證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

全球首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

扭虧為盈！天岳先進(jìn)2024業(yè)績(jī)大突破

雷軍：今年小米將保持超30%增速電動(dòng)車的突破是亮點(diǎn)

突破！國(guó)產(chǎn)SiC外延設(shè)備首次大規(guī)模發(fā)貨！

美國(guó) SIA：全球半導(dǎo)體銷售額 2024 年首度突破 6000 億美元大關(guān)

中國(guó)光子毫米波雷達(dá)技術(shù)取得突破性進(jìn)展

北方華創(chuàng)立式爐出貨突破1000臺(tái)

中微公司去年?duì)I收大漲44.73%！LPCVD設(shè)備累計(jì)出貨突破100臺(tái)！

清純半導(dǎo)體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

突破極限：化合物半導(dǎo)體與EDA的協(xié)同進(jìn)化之路

以革命性突破助力中國(guó)材料科學(xué)邁上新高度——賽默飛發(fā)布新一代球差校正透射電鏡Iliad

中昊芯英斬獲2024年第十九屆“中國(guó)芯”最高獎(jiǎng)“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”

晶盛機(jī)電：實(shí)現(xiàn)8-12英寸半導(dǎo)體大硅片設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化突破

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

廣東：力爭(zhēng)到2030年取得超10項(xiàng)光芯片核心技術(shù)突破

工信部：高級(jí)自動(dòng)駕駛技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)新的重大突破

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，已通過(guò)量產(chǎn)驗(yàn)證！

濟(jì)南比亞迪今年生產(chǎn)新能源車力爭(zhēng)突破30萬(wàn)輛

立昂晶電：實(shí)現(xiàn)磷化銦半導(dǎo)體材料技術(shù)突破獲評(píng)雛鷹企業(yè)

國(guó)創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

突破！鴻海布局第四代半導(dǎo)體跨大步

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破3.35英寸

廈門市未來(lái)顯示技術(shù)研究院：突破“屏”頸競(jìng)逐未來(lái)顯示新賽道

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