亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

歷史性突破！西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部馬曉華教授牽頭項(xiàng)目榮獲2023年度國(guó)家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)

芯達(dá)半導(dǎo)體簽約，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備“零突破”！

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料開(kāi)發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破

科友半導(dǎo)體碳化硅晶體厚度突破80mm！

中科院金屬研究所二維半導(dǎo)體器件研究獲得重要突破

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)騰飛，價(jià)值突破550億美元

華虹半導(dǎo)體一季度研發(fā)費(fèi)用穩(wěn)步增長(zhǎng) 產(chǎn)能利用率突破90%

ASML High-NA EUV光刻機(jī)取得突破，成功印刷10nm線(xiàn)寬圖案

青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備！

世紀(jì)金芯宣布實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破！

中韓科研人員在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

中國(guó)半導(dǎo)體多環(huán)節(jié)取得突破未來(lái)仍需更多創(chuàng)新

云南5G基站突破十萬(wàn)

山西新能源裝機(jī)突破5000萬(wàn)千瓦

湖南：加強(qiáng)集成電路、工業(yè)母機(jī)、基礎(chǔ)軟件等關(guān)鍵技術(shù)突破

出貨量突破1500萬(wàn)只，馳騁第三代半導(dǎo)體“黃金賽道”

突破！長(zhǎng)光華芯高功率半導(dǎo)體單管芯片功率超過(guò)100W

我國(guó)新能源汽車(chē)保有量突破2000萬(wàn)輛

重慶：到2027年全市集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收突破120億元

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

中車(chē)新能源汽車(chē)SiC電驅(qū)產(chǎn)品突破百萬(wàn)臺(tái)大關(guān)

上海電動(dòng)汽車(chē)年度公共充電量首次突破1億千瓦時(shí)

重要突破！全國(guó)產(chǎn)化碳化硅功率模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能變流器發(fā)布

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導(dǎo)體獲數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資

SSLCHINA2023│芯穎顯示謝相偉：Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破

新突破！國(guó)星光電成功點(diǎn)亮Micro LED新品nStar Ⅲ

SSLCHINA2023│美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院Robert Karlicek：燈光雕刻-在燈光控制上突破極限

同濟(jì)大學(xué)團(tuán)隊(duì)在超低功耗物聯(lián)網(wǎng)芯片與系統(tǒng)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

第2頁(yè)/共9頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部