亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<cite id="4ywy6"><option id="4ywy6"></option></cite>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

美祭301調(diào)查中國(guó)臺(tái)灣成熟制程轉(zhuǎn)單效應(yīng)可望明顯回升

2024年中國(guó)半導(dǎo)體并購(gòu)31件模擬芯片和材料成熱點(diǎn)

一代鞋王跨界半導(dǎo)體，奧康國(guó)際籌劃增發(fā)收購(gòu)聯(lián)和存儲(chǔ)科技

現(xiàn)代汽車解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門，原計(jì)劃自研5nm芯片

從0到1，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片項(xiàng)目成功通線

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置專利，有利于生長(zhǎng)空間的穩(wěn)定性

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目投產(chǎn)

總投資10億元，民翔半導(dǎo)體存儲(chǔ)項(xiàng)目一期投產(chǎn)！

SIA發(fā)布關(guān)于拜登政府對(duì)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)啟動(dòng)301條款調(diào)查的聲明

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬(wàn)元A輪融資

EDA工具供應(yīng)商華芯盛完成數(shù)千萬(wàn)元戰(zhàn)略投資

華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)

商務(wù)部新聞發(fā)言人就美對(duì)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策發(fā)起301調(diào)查發(fā)表談話

東湖高新區(qū)綜合評(píng)價(jià)居國(guó)家高新區(qū)第六位

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)

突發(fā)！拜登政府對(duì)中國(guó)成熟制程芯片發(fā)起301 調(diào)查

華為申請(qǐng)?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

總投資12億！晶益通半導(dǎo)體項(xiàng)目封頂

5億！這一激光項(xiàng)目年產(chǎn)1億顆激光芯片

3億元！又一半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約！

鄭州勢(shì)壘取得用于金剛石生長(zhǎng)的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

總投資3億元！合肥新站高新區(qū)新增一半導(dǎo)體項(xiàng)目，明年開工建設(shè)

創(chuàng)銳光譜獲近億元Pre-A輪融資

第56頁(yè)/共544頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<code id="ywyaa"></code>