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深圳晶源申請光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術(shù)問題

河北同光半導體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

無錫錕芯半導體取得一種IGBT的驅(qū)動裝置專利，實現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

上海天岳申請一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

安徽格恩半導體申請GaN基化合物半導體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利，降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風險

長光華芯“一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

納維達斯半導體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應力分布均勻

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海積塔半導體申請檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進行

浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實現(xiàn)晶圓級別集成

森國科申請 MOSFET 結(jié)構(gòu)相關專利，降低飽和電流

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導體技術(shù)申請一種功率開關器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

泰科天潤“一種低導通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

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