亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<td id="ikmkk"><tbody id="ikmkk"></tbody></td>

<cite id="ikmkk"><strong id="ikmkk"></strong></cite>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

CSPSD 2025前瞻|東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進展

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展

世紀金芯宣布實現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破！

湖南：加強集成電路、工業(yè)母機、基礎軟件等關(guān)鍵技術(shù)突破

安徽省有效投資專項行動方案（2024）發(fā)布涉及集成電路領域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)等

攻克多項關(guān)鍵技術(shù)難題，河北這項技術(shù)在第三代半導體材料上“彎道超車”

江南大學獲批首個芯片關(guān)鍵技術(shù)千萬級重點項目

SSLCHINA2023│芯穎顯示謝相偉：Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破

華為完成5G蜂窩低功耗高精度定位的關(guān)鍵技術(shù)驗證

華為全面完成5G-A關(guān)鍵技術(shù)性能測試 5.5G商用時代望加速開啟

直播回放 |“爆炸性”發(fā)展時代，碳化硅襯底材料與關(guān)鍵技術(shù)的破局之道，路在何方？

強芯沙龍 | 直播預告！碳化硅襯底材料與關(guān)鍵技術(shù)如何破局？

長虹牽頭的高亮度MicroLED投影顯示關(guān)鍵技術(shù)項目啟動

科友半導體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

國內(nèi)首次太赫茲軌道角動量的實時無線傳輸通信實驗完成 6G關(guān)鍵技術(shù)有新突破

合肥工業(yè)大學5G智能網(wǎng)聯(lián)汽車關(guān)鍵技術(shù)項目終期整車技術(shù)目標測試比選公告（三次）

工信部副部長：6G處于對需求和關(guān)鍵技術(shù)的研究階段

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

合肥工業(yè)大學5G智能網(wǎng)聯(lián)汽車關(guān)鍵技術(shù)項目終期整車技術(shù)目標測試比選公告（二次）

中國電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項

簡述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

工信部：加快車規(guī)級芯片等關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化

云南強省三年行動：推進第三代半導體及顯示材料等關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化

科友半導體應用電阻長晶爐突破高速率高品質(zhì)SiC晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)

河北工匠楊昆：第三代半導體材料關(guān)鍵技術(shù)突破者

《“十四五”國家信息化規(guī)劃》發(fā)布，加快集成電路關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)

首場元宇宙體系架構(gòu)、關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展與布局培訓班即將開班

剝離轉(zhuǎn)移良率接近100%，上海芯元基突破Micro LED芯片量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

啟迪半導體研發(fā)總監(jiān)鈕應喜：第三代半導體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及進展

第1頁/共2頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<blockquote id="mk46k"></blockquote><td id="mk46k"></td>