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新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目

總投資11億元！磷化銦單晶襯底片項目簽約落戶江門

同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動

同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動

一批半導(dǎo)體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地，全面開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

CASICON晶體大會前瞻|中晶芯源半導(dǎo)體楊祥龍：碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

CASICON晶體大會前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

云和縣大尺寸碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目意向合作協(xié)議簽約儀式舉行

深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線

年產(chǎn)70萬片6-8英寸碳化單晶襯底項目通過立項審批

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

合肥世紀(jì)金芯與湖南S公司達(dá)成戰(zhàn)略合作，圍繞SiC單晶襯底展開合作

IFWS 2023│南京大學(xué)修向前：基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

IFWS 2023│中國科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

總投資34.57億元！新增年產(chǎn)70萬片 6-8 英寸碳化硅單晶襯底項目

世紀(jì)金光6-8英寸SiC單晶襯底項目簽約包頭投資近35億元

總投資1.2億元，氮化鎵單晶襯底項目簽約落地

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底

復(fù)旦大學(xué)單晶襯底生長系統(tǒng)采購公開招標(biāo)公告

河北淶源經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)標(biāo)準(zhǔn)化科創(chuàng)園項目、年產(chǎn)10萬片碳化硅單晶襯底標(biāo)準(zhǔn)廠房項目一期全過程審計服務(wù)公開招標(biāo)公告

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述

合肥世紀(jì)金芯年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目投產(chǎn)！

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

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