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標(biāo)準(zhǔn) | AlN位錯密度/吸收系數(shù)2項(xiàng)測試方法形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會草案

前瞻|國家自然科學(xué)基金委員會史冬梅將出席“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”并做報告

CSA半導(dǎo)體激光器專業(yè)委員會正式成立，并成功召開第一屆一次會議

標(biāo)準(zhǔn) | 碳化硅單晶生長用等靜壓石墨等2項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

泰國計(jì)劃加大對電動汽車芯片的投資，已成立國家半導(dǎo)體委員會

超強(qiáng)陣容！IFWS&SSLCHINA 2023程序委員會專家名單公布，強(qiáng)勢助力論壇學(xué)術(shù)征文活動！

歐盟委員會批準(zhǔn)為半導(dǎo)體研究項(xiàng)目提供80億歐元公共資金補(bǔ)貼

武威天祝金強(qiáng)工業(yè)集中區(qū)管理委員會甘肅省碳化硅工業(yè)大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)制定采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會成立大會舉行全面實(shí)施《國家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要》

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會印發(fā)《2023年全國標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》加強(qiáng)新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會草案

上海真空學(xué)會真空半導(dǎo)體專業(yè)委員會正式成立

2022年中國（寧波）首屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合人才發(fā)展論壇暨先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)學(xué)院專家委員會成立大會在寧波召開

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會草案

2022年中國（寧波）首屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合人才發(fā)展論壇暨先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)學(xué)院專家委員會成立大會即將召開

關(guān)于舉辦2022年中國（寧波）首屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合人才發(fā)展論壇暨先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)學(xué)院專家委員會成立大會的通知

印政府設(shè)立咨詢委員會，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會等十七部門聯(lián)合印發(fā)《關(guān)于促進(jìn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范優(yōu)質(zhì)發(fā)展的意見》

歐盟委員會：《歐洲芯片法案》草案將于二月初正式出臺

成都岷山功率半導(dǎo)體技術(shù)研究院成立，張波教授任專家委員會理事長

歐盟委員會主席馮德萊恩：將提出新的歐洲芯片法案

美再將“魔爪”伸向中企，華為帶頭反擊，趙立堅(jiān)：赤裸裸的霸凌

SK海力士收購英特爾NAND閃存和SSD業(yè)務(wù)獲歐洲聯(lián)盟委員會批準(zhǔn)

眾多領(lǐng)導(dǎo)、院士專家紛紛建言獻(xiàn)策，助推我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

湖畔實(shí)驗(yàn)室成立理事會和學(xué)術(shù)咨詢委員會

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