亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

合肥晶合集成電路申請一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

晶合集成申請一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動(dòng)態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊以提高清潔能源產(chǎn)能

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

福建泓光半導(dǎo)體材料取得一種光刻膠自動(dòng)過濾裝置專利，提高工作效率

豪緯集團(tuán)申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

極紫外光刻新技術(shù)問世能大幅提高能源效率并降低半導(dǎo)體制造成本

全新 EVG?880 LayerRelease? 離型層系統(tǒng)將半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)移技術(shù)產(chǎn)量提高一倍

長光華芯申請高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利，有效提高評估結(jié)果準(zhǔn)確度

晶合集成申請半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

廣電計(jì)量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

芯聯(lián)集成：全球領(lǐng)先的新一代IGBT器件會(huì)在24年下半年量產(chǎn)，大幅提高單位晶圓片的芯片產(chǎn)出數(shù)量

北京大學(xué)申請長波長InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

長鑫存儲(chǔ)申請晶圓級封裝方法專利，提高晶圓封裝的良率

比亞迪半導(dǎo)體申請終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

北京大學(xué)申請大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

比亞迪半導(dǎo)體申請逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

美國商務(wù)部長：2030年美國芯片在全球市場份額提高到20%

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長效率和質(zhì)量

華為公司申請功率器件專利，提高半導(dǎo)體器件的可靠性

北京大學(xué)申請高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

工信部：將加快國家高新區(qū)科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新對接，提高科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化水平

我國提高集成電路和工業(yè)母機(jī)企業(yè)研發(fā)費(fèi)用加計(jì)扣除比例

外媒：日本將加強(qiáng)電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施，到 2030 年高速充電樁功率提高至 90 kW

第2頁/共5頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部