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上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

突破極限：化合物半導(dǎo)體與EDA的協(xié)同進(jìn)化之路

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

以革命性突破助力中國(guó)材料科學(xué)邁上新高度——賽默飛發(fā)布新一代球差校正透射電鏡Iliad

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術(shù)突破

中昊芯英斬獲2024年第十九屆“中國(guó)芯”最高獎(jiǎng)“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”

晶盛機(jī)電：實(shí)現(xiàn)8-12英寸半導(dǎo)體大硅片設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化突破

1萬(wàn)伏！我國(guó)實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

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金剛石膜取得大突破！

廣東：力爭(zhēng)到2030年取得超10項(xiàng)光芯片核心技術(shù)突破

工信部：高級(jí)自動(dòng)駕駛技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)新的重大突破

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

我國(guó)在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域取得新突破

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，已通過(guò)量產(chǎn)驗(yàn)證！

電子科大國(guó)家工程技術(shù)研究中心在二維單相多鐵方向取得重大突破

北京大學(xué)電子學(xué)院陳景標(biāo)研究團(tuán)隊(duì)在原子鐘領(lǐng)域取得重要突破

Nature | 康奈爾大學(xué)：光電功能器件最新突破

九峰山實(shí)驗(yàn)室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

濟(jì)南比亞迪今年生產(chǎn)新能源車力爭(zhēng)突破30萬(wàn)輛

中國(guó)科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

立昂晶電：實(shí)現(xiàn)磷化銦半導(dǎo)體材料技術(shù)突破獲評(píng)雛鷹企業(yè)

國(guó)創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

突破！鴻海布局第四代半導(dǎo)體跨大步

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

國(guó)內(nèi)高校實(shí)現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

我國(guó)科學(xué)家實(shí)現(xiàn)材料突破，可用于開(kāi)發(fā)低功耗芯片

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

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