亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<var id="qqe94"></var>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

連科半導體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術取得突破

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

時代電氣IGBT制氫電源設備累計交付突破100臺

廈門大學-廈門市未來顯示技術研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中微創(chuàng)芯突破 “卡脖子” 技術！國產(chǎn)化逆導 IGBT 功率模塊通過科技查新，打破國外壟斷！

中微公司在等離子體刻蝕技術領域再次實現(xiàn)重大突破

三項首創(chuàng)！九峰山實驗室在化合物半導體領域取得重大突破

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導體產(chǎn)業(yè)新突破

中科院DUV光源新突破！

全球首創(chuàng)！九峰山實驗室在氮極性氮化鎵材料制備領域取得新突破

上交所：大力支持突破關鍵核心技術的優(yōu)質科技型企業(yè)發(fā)行上市

實現(xiàn)技術突破！我國成功研制出這一光子芯片

蘭州大學研究團隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

扭虧為盈！天岳先進2024業(yè)績大突破

北京大學王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領域取得重大突破

雷軍：今年小米將保持超30%增速電動車的突破是亮點

重大突破！吉林大學領銜，高壓人工合成出隕石中的超級鉆石“六方金剛石”

新突破|鎵仁半導體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

鎵仁半導體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

突破！國產(chǎn)SiC外延設備首次大規(guī)模發(fā)貨！

金剛石基晶體管，里程碑突破！

美國 SIA：全球半導體銷售額 2024 年首度突破 6000 億美元大關

中國光子毫米波雷達技術取得突破性進展

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

北方華創(chuàng)立式爐出貨突破1000臺

中微公司去年營收大漲44.73%！LPCVD設備累計出貨突破100臺！

清純半導體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

寧波材料所與鄭州大學實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質結器件突破

日本國立材料研究所廖梅勇團隊實現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

第1頁/共13頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<small id="qtbxu"></small>