亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<rt id="e8pe0"></rt>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

2024年中國半導(dǎo)體并購31件模擬芯片和材料成熱點(diǎn)

一代鞋王跨界半導(dǎo)體，奧康國際籌劃增發(fā)收購聯(lián)和存儲科技

現(xiàn)代汽車解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門，原計劃自研5nm芯片

香港大學(xué)等聯(lián)合開發(fā)革命性鉆石制備技術(shù) 10秒產(chǎn)出2英寸金剛石晶圓

南科大李攜曦課題組發(fā)表金剛石薄膜制備和應(yīng)用領(lǐng)域研究成果

從0到1，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片項目成功通線

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項目投產(chǎn)

總投資10億元，民翔半導(dǎo)體存儲項目一期投產(chǎn)！

SIA發(fā)布關(guān)于拜登政府對中國芯片產(chǎn)業(yè)啟動301條款調(diào)查的聲明

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

EDA工具供應(yīng)商華芯盛完成數(shù)千萬元戰(zhàn)略投資

華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)

商務(wù)部新聞發(fā)言人就美對中國芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策發(fā)起301調(diào)查發(fā)表談話

東湖高新區(qū)綜合評價居國家高新區(qū)第六位

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請

突發(fā)！拜登政府對中國成熟制程芯片發(fā)起301 調(diào)查

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目竣工投產(chǎn)

總投資12億！晶益通半導(dǎo)體項目封頂

5億！這一激光項目年產(chǎn)1億顆激光芯片

3億元！又一半導(dǎo)體項目正式簽約！

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

第38頁/共590頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部