一代材料，一代器件，一代裝備，一代應用。隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料為代表的第三代半導體應用技術(shù)的不斷進步與產(chǎn)業(yè)化應用，第三代半導體納入國家2030規(guī)劃和“十四五”國家研發(fā)計劃,被視作我國半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機會。