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  • 【視頻報告 2018】唐
    智慧建筑與人本照明理念首次講，人本設計的六大因素：熱舒適、視覺舒適、工作空間設計、空氣質量、噪音控制，最重要的是自然光。人本設計三個環(huán)節(jié)：環(huán)境、人工智能和社交，人性化的辦公室，過去一講LED就是節(jié)能，第一講是人性化辦公空間，能給員工提供舒適感和愉悅感，理想辦公設計能有效改善員工心理、生理健康31%，工作效率15%。
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    limit2021-04-29 12:30
  • 【視頻報告 2018】德
    德國愛思強產品管理總監(jiān)Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報告。他介紹說，愛思強的行星式反應器平臺是生產具有最高一致性、重復性和缺陷控制標準的化合物半導體器件的已建立的平臺，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術，這是當前高容量需求的關鍵驅動因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術：在低的缺陷水平下，結合外延層的高通量結構具有非常高的精度。行星式反應器平臺技術已經(jīng)被
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報告 2018】北
    北京大學陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達到300 kA / cm2 20m紫外線導致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運和重組過程。綜合量子漂移-擴散模型考慮了多體效應。并介紹了超高注入機理。
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報告 2018】俄
    俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復合引起的效率下降和表面復合成為限制器件性能的主要因素。特別是當器件尺寸減小時，表面復合導致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對-LED的研究主要集中在它們的電流調制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點。通常，-LED的
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報告 2018】南
    南京大學電子科學與工程學院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點混合結構的高品質白光器件》研究報告。報告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點混合結構LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結構量子點填充至微/納米孔中，形成量子點與量子阱側壁緊密耦合結構。該結構利用量子阱與量子點偶極子間耦合增強物理效應，發(fā)光激子的復合壽命大
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報告 2018】香
    香港科技大學首席劉紀美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優(yōu)點和問題》報告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應用中的成熟的LED技術很常見。近年來，LED在微顯示器上的應用越來越受到人們的關注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報告 2018】南
    南方科技大學副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報告。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報告 2018】臺
    來自臺灣交通大學佘慶威教授，他在《可實現(xiàn)全彩微顯示的新型微結構LED》報告中表示，我們研究了一種新型微結構Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實現(xiàn)發(fā)光波長從480nm藍光到535nm綠光的變化，接著在藍光NRLED上噴涂紅色量子點材料進行色彩轉換，即可在同一材料上實現(xiàn)RGB全彩微顯示。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報告 2018】廈
    廈門大學電子科學系教授、福建省半導體照明工程技術研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測試》研究報告。他介紹說，顯微高光譜成像技術結合高光譜和顯微技術，獲得探測目標的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點。是進行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測的理想工具。我們基于顯微高光譜開發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測試技術。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報告 2018】德
    廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產品經(jīng)理桑永昌介紹了《Micro 和 Mini LED 焊接技術》主題報告。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】復
    復旦大學副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結合以上功能，可以實現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】復
    復旦大學副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點薄膜》主題報告中表示，全無機CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(QDs)由于其優(yōu)異的光學性能，包括極高的光致發(fā)光量子產率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調發(fā)射，很可能成為下一代量子點顯示技術。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結晶，為低成本大批量生產CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】株
    株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】基
    深圳基本半導體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產業(yè)化經(jīng)驗。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Vic
    美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Mie
    瑞典皇家工學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設備的現(xiàn)狀和采用前景》，報告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項目的概況和重點。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉換系統(tǒng)在各種應用中的節(jié)能方面的革命性進展。簡要介紹了瑞典材料、技術和設備研發(fā)領域的相關項目。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制》技術報告；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報告 2018】周
    美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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  • 【視頻報告 2018】香
    矩陣轉換器被認為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉換結構，因為其主要依賴于雙向開關而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉換器的重大發(fā)展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉
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    limit2021-04-29 12:25
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