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  • 【視頻報(bào)告 2018】唐
    智慧建筑與人本照明理念首次講，人本設(shè)計(jì)的六大因素：熱舒適、視覺(jué)舒適、工作空間設(shè)計(jì)、空氣質(zhì)量、噪音控制，最重要的是自然光。人本設(shè)計(jì)三個(gè)環(huán)節(jié)：環(huán)境、人工智能和社交，人性化的辦公室，過(guò)去一講LED就是節(jié)能，第一講是人性化辦公空間，能給員工提供舒適感和愉悅感，理想辦公設(shè)計(jì)能有效改善員工心理、生理健康31%，工作效率15%。
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    limit2021-04-29 12:30
  • 【視頻報(bào)告 2018】德
    德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，愛(ài)思強(qiáng)的行星式反應(yīng)器平臺(tái)是生產(chǎn)具有最高一致性、重復(fù)性和缺陷控制標(biāo)準(zhǔn)的化合物半導(dǎo)體器件的已建立的平臺(tái)，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術(shù)，這是當(dāng)前高容量需求的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術(shù)：在低的缺陷水平下，結(jié)合外延層的高通量結(jié)構(gòu)具有非常高的精度。行星式反應(yīng)器平臺(tái)技術(shù)已經(jīng)被
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】北
    北京大學(xué)陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報(bào)告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長(zhǎng)和不同的基質(zhì)。測(cè)量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達(dá)到300 kA / cm2 20m紫外線導(dǎo)致氮化鎵襯底。效率為L(zhǎng)EDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運(yùn)和重組過(guò)程。綜合量子漂移-擴(kuò)散模型考慮了多體效應(yīng)。并介紹了超高注入機(jī)理。
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】俄
    俄羅斯STR 集團(tuán)有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報(bào)告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復(fù)合引起的效率下降和表面復(fù)合成為限制器件性能的主要因素。特別是當(dāng)器件尺寸減小時(shí)，表面復(fù)合導(dǎo)致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對(duì)-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點(diǎn)。通常，-LED的
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來(lái)了《氮化鎵微/納米LED與量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報(bào)告。報(bào)告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)填充至微/納米孔中，形成量子點(diǎn)與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點(diǎn)偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大
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    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    香港科技大學(xué)首席劉紀(jì)美教授在《Micro-LED顯示屏：?jiǎn)纹椒ǖ膬?yōu)點(diǎn)和問(wèn)題》報(bào)告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應(yīng)用中的成熟的LED技術(shù)很常見(jiàn)。近年來(lái)，LED在微顯示器上的應(yīng)用越來(lái)越受到人們的關(guān)注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術(shù)相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢(shì)。最重要的是在明亮的日光下的能見(jiàn)度。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺(tái)
    來(lái)自臺(tái)灣交通大學(xué)佘慶威教授，他在《可實(shí)現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構(gòu)LED》報(bào)告中表示，我們研究了一種新型微結(jié)構(gòu)Nano-Ring (NR) LED，首先通過(guò)改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光波長(zhǎng)從480nm藍(lán)光到535nm綠光的變化，接著在藍(lán)光NRLED上噴涂紅色量子點(diǎn)材料進(jìn)行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實(shí)現(xiàn)RGB全彩微顯示。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】廈
    廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授、福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術(shù)的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測(cè)試》研究報(bào)告。他介紹說(shuō)，顯微高光譜成像技術(shù)結(jié)合高光譜和顯微技術(shù)，獲得探測(cè)目標(biāo)的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時(shí)具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點(diǎn)。是進(jìn)行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測(cè)的理想工具。我們基于顯微高光譜開(kāi)發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測(cè)試技術(shù)。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】德
    廣東德豪潤(rùn)達(dá)電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理桑永昌介紹了《Micro 和 Mini LED 焊接技術(shù)》主題報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】復(fù)
    復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見(jiàn)光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過(guò)結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測(cè)器(PD)的報(bào)道。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】復(fù)
    復(fù)旦大學(xué)副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜》主題報(bào)告中表示，全無(wú)機(jī)CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(diǎn)(QDs)由于其優(yōu)異的光學(xué)性能，包括極高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調(diào)發(fā)射，很可能成為下一代量子點(diǎn)顯示技術(shù)。在制造過(guò)程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結(jié)晶，為低成本大批量生產(chǎn)CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】株
    株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機(jī)平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報(bào)告；
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】基
    深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報(bào)告；張振中對(duì)各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計(jì)引入到量產(chǎn)工藝開(kāi)發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Vic
    美國(guó)電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來(lái)《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯(cuò)和耐久性的影響》；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Mie
    瑞典皇家工學(xué)院工程科學(xué)院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設(shè)備的現(xiàn)狀和采用前景》，報(bào)告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項(xiàng)目的概況和重點(diǎn)。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應(yīng)用中的節(jié)能方面的革命性進(jìn)展。簡(jiǎn)要介紹了瑞典材料、技術(shù)和設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的相關(guān)項(xiàng)目。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報(bào)告；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過(guò)程。今天，SiC是通過(guò)氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過(guò)程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾囉陔p向開(kāi)關(guān)而幾乎不需要其他被動(dòng)組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開(kāi)關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級(jí)的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來(lái)新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)
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    limit2021-04-29 12:25
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