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深科技擬定增募資17.1億元,用于存儲先進封測與模組制造項目

日期:2020-10-19 來源:集微網(wǎng)閱讀:390
核心提示:深科技發(fā)布2020年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬非公開發(fā)行不超89,328,225股股票,募資不超171,000萬元,扣除發(fā)行費用后將全部
深科技發(fā)布2020年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬非公開發(fā)行不超89,328,225股股票,募資不超171,000萬元,扣除發(fā)行費用后將全部用于存儲先進封測與模組制造項目。
據(jù)披露,存儲先進封測與模組制造項目總投資306,726.40萬元,其中建設(shè)投資296,471.17萬元,鋪底流動資金10,255.23萬元。項目建設(shè)周期為36個月,主要建設(shè)內(nèi)容為:
(1)DRAM存儲芯片封裝測試業(yè)務(wù),計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為4,800萬顆
(2)存儲模組業(yè)務(wù),計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為246萬條模組
(3)NANDFlash存儲芯片封裝業(yè)務(wù),計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為320萬顆
 
本項目技術(shù)來源于沛頓科技自主研發(fā)與長期積累,沛頓科技存儲芯片封裝制程采用的是當(dāng)前高端產(chǎn)品的主流技術(shù),如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統(tǒng)級SiP封裝技術(shù)等,現(xiàn)有產(chǎn)品已實現(xiàn)多達16層的多晶堆疊技術(shù),最大單顆芯片容量可達到256G。
 
沛頓科技具備DDR4封裝和測試技術(shù),采用的BGA、LGA等封裝技術(shù)優(yōu)勢明顯,產(chǎn)品合格率高,交貨周期快,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,領(lǐng)先于國內(nèi)其他競爭對手;沛頓科技的日本研發(fā)團隊開發(fā)測試方案和程式,提供定制化服務(wù)的支持,技術(shù)工藝競爭優(yōu)勢明顯。
 
深科技表示,隨著本次募投項目的實施,有利于打破國內(nèi)存儲器領(lǐng)域?qū)M口產(chǎn)品的依賴和技術(shù)壁壘,加速存儲器國產(chǎn)化替代進程,提升國產(chǎn)存儲器芯片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,促進我國存儲器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
 
本項目實施后,可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以及DRAM內(nèi)存模組制造業(yè)務(wù),有助于國內(nèi)存儲器芯片封測的深度國產(chǎn)化。公司根據(jù)客戶整體產(chǎn)能建設(shè)的需要,契合客戶業(yè)務(wù)布局,對公司建立長期穩(wěn)定的客戶關(guān)系起到積極作用。客戶產(chǎn)能的逐步提升將直接帶動公司集成電路封測業(yè)務(wù)的訂單增加。本次募投項目實施后的新增產(chǎn)能加上公司現(xiàn)有產(chǎn)能,將為存儲器芯片國產(chǎn)化提供保障。
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