突破碳化硅“卡脖子”技術！年產5000片中科漢韻SiC器件項目通線
日前，江蘇中科漢韻半導體有限公司SiC功率器件項目通線儀式在開發(fā)區(qū)鳳凰灣電子信息產業(yè)園舉行。據(jù)報道，該項目的正式通線，對徐州市和開發(fā)區(qū)集成電路產業(yè)特別是第三代半導體產業(yè)發(fā)展具有重大的意義。
這標志著我國企業(yè)突破了碳化硅芯片設計和工藝制造國產化中的一系列重大“卡脖子”技術！
據(jù)了解，項目一期建設面積2.1萬平方米，全面達產后，年產能將達到5000片碳化硅功率器件等分立半導體器件。
項目從設備進場到通線僅花費約六個月時間，對于設備，中科漢韻董事長袁述表示，設備從光刻機到薄膜，到刻蝕化學腐蝕離子注入等等，都是比較先進的。
據(jù)悉，中科漢韻二期項目計劃2021年開始實施，全新配置6寸工藝線，或將成為國內首家規(guī)?；a碳化硅MOSFET芯片和模塊的企業(yè)。
SiC憑借高擊穿場強、熱穩(wěn)定性、高電子飽和速度及禁帶寬度等能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。
碳化硅功率器件的主要優(yōu)勢
1、耐高溫，耐高壓。
理論上可承受600℃以上，是硅基功率器件的四倍；
2、優(yōu)化器件尺寸和重量。
碳化硅器件擁有更高的熱導率和功率密度，能夠簡化散熱系統(tǒng)，從而實現(xiàn)器件的小型化和輕量化；
3、低損耗、高頻率。
碳化硅器件的工作頻率可達硅基器件的10倍，而且效率不隨工作頻率的升高而降低，可以降低近50%的能量損耗；同時因頻率的提升減少了電感、變壓器等外圍組件體積，全面縮小系統(tǒng)體積，降低成本。
