突破碳化硅“卡脖子”技術(shù)！年產(chǎn)5000片中科漢韻SiC器件項(xiàng)目通線(xiàn)
日前，江蘇中科漢韻半導(dǎo)體有限公司SiC功率器件項(xiàng)目通線(xiàn)儀式在開(kāi)發(fā)區(qū)鳳凰灣電子信息產(chǎn)業(yè)園舉行。據(jù)報(bào)道，該項(xiàng)目的正式通線(xiàn)，對(duì)徐州市和開(kāi)發(fā)區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)特別是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大的意義。
這標(biāo)志著我國(guó)企業(yè)突破了碳化硅芯片設(shè)計(jì)和工藝制造國(guó)產(chǎn)化中的一系列重大“卡脖子”技術(shù)！
據(jù)了解，項(xiàng)目一期建設(shè)面積2.1萬(wàn)平方米，全面達(dá)產(chǎn)后，年產(chǎn)能將達(dá)到5000片碳化硅功率器件等分立半導(dǎo)體器件。
項(xiàng)目從設(shè)備進(jìn)場(chǎng)到通線(xiàn)僅花費(fèi)約六個(gè)月時(shí)間，對(duì)于設(shè)備，中科漢韻董事長(zhǎng)袁述表示，設(shè)備從光刻機(jī)到薄膜，到刻蝕化學(xué)腐蝕離子注入等等，都是比較先進(jìn)的。
據(jù)悉，中科漢韻二期項(xiàng)目計(jì)劃2021年開(kāi)始實(shí)施，全新配置6寸工藝線(xiàn)，或?qū)⒊蔀閲?guó)內(nèi)首家規(guī)?；a(chǎn)碳化硅MOSFET芯片和模塊的企業(yè)。
SiC憑借高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱穩(wěn)定性、高電子飽和速度及禁帶寬度等能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。
碳化硅功率器件的主要優(yōu)勢(shì)
1、耐高溫，耐高壓。
理論上可承受600℃以上，是硅基功率器件的四倍；
2、優(yōu)化器件尺寸和重量。
碳化硅器件擁有更高的熱導(dǎo)率和功率密度，能夠簡(jiǎn)化散熱系統(tǒng)，從而實(shí)現(xiàn)器件的小型化和輕量化；
3、低損耗、高頻率。
碳化硅器件的工作頻率可達(dá)硅基器件的10倍，而且效率不隨工作頻率的升高而降低，可以降低近50%的能量損耗；同時(shí)因頻率的提升減少了電感、變壓器等外圍組件體積，全面縮小系統(tǒng)體積，降低成本。
