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【CASICON 2021】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山:中國(guó)功率與射頻技術(shù)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)展望

日期:2021-09-14 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)作者:CASICON閱讀:781
核心提示:未來(lái)5年將是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵期,全球資本加速進(jìn)入第三代半導(dǎo)體材料、器件領(lǐng)域,產(chǎn)能大幅度提升,競(jìng)爭(zhēng)不斷加劇,國(guó)內(nèi)企業(yè)更要提前做好應(yīng)對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的準(zhǔn)備。
9月13-14日,“2021中國(guó)(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)(CASICON 2021)”在南京召開(kāi)。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo),以及藍(lán)雨軟件技術(shù)開(kāi)發(fā)(上海)有限公司、愛(ài)發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司、寧波恒普真空技術(shù)有限公司、蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司、青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司、德儀國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司、大族激光顯示與半導(dǎo)體裝備事業(yè)部、上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司、上海智湖信息技術(shù)有限公司、蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司、湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司等單位的大力支持。
會(huì)上,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山帶來(lái)了題為“中國(guó)功率與射頻技術(shù)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)展望”的主題報(bào)告。他表示,當(dāng)前國(guó)際企業(yè)上下游延伸趨勢(shì)日益明顯,全產(chǎn)業(yè)鏈布局進(jìn)一步提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。并且,國(guó)際企業(yè)已經(jīng)完成大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn),2020年-2022年產(chǎn)能將逐步釋放。國(guó)際龍頭企業(yè)占據(jù)市場(chǎng)主要份額,全球第三代半導(dǎo)體仍然由美日歐企業(yè)主導(dǎo)。
于坤山
以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體在新能源汽車、5G、光伏發(fā)電、PD快充等領(lǐng)域不斷取得突破,全球第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)總體保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。全球半導(dǎo)體2020年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到4400億美元,同比增長(zhǎng)6.8%。其中,電力電子市場(chǎng)近9億美元。根據(jù)Yole和Omdia數(shù)據(jù)顯示,2020年,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)8.54億美元,SiC電力電子市場(chǎng)規(guī)模約為7.03億美元,GaN電力電子市場(chǎng)規(guī)模約為1.51億美元。到2025年SiC電力電子市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)30億美元,GaN電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)6.8億美元。2020年全球功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模約為180~200億美元,SiC、GaN電力電子器件滲透率約為4.2%~4.5%,較2019年提升一個(gè)百分點(diǎn)。
于坤山4
第三代半導(dǎo)體微波射頻市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)8億美元。Yole 2020年數(shù)據(jù)顯示,2020-2025年全球GaN射頻器件的總體市場(chǎng)將以12%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)從8.3億美元增長(zhǎng)至超過(guò)20億美元。其中,國(guó)防應(yīng)用是GaN射頻器件市場(chǎng)的最重要驅(qū)動(dòng)力量,2020-2025年將以22%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)從3.4億美元增長(zhǎng)至超過(guò)11.1億美元;5G基站建設(shè)是GaN射頻器件市場(chǎng)的另一關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力量,2020-2025年將以15%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)從3.7億美元增長(zhǎng)至超過(guò)7.3億美元;GaN射頻器件在無(wú)線寬帶、射頻能量、商業(yè)雷達(dá)等市場(chǎng)均呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

他指出,國(guó)內(nèi)已經(jīng)形成了比較完整的產(chǎn)業(yè)鏈,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)開(kāi)始由“導(dǎo)入期”向“成長(zhǎng)期”過(guò)渡,商業(yè)技術(shù)逐步穩(wěn)定、價(jià)格接近甜蜜點(diǎn)、應(yīng)用示范效應(yīng)拉動(dòng),各市場(chǎng)漸次開(kāi)啟,帶來(lái)需求高速增長(zhǎng)。截至2020年底,國(guó)內(nèi)有超過(guò)170家從事第三代半導(dǎo)體電力電子和微波射頻的企業(yè),而2018年尚不足100家。同時(shí),國(guó)內(nèi)高度重視,推出新舉措引導(dǎo)和扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),各級(jí)政策持續(xù)跟進(jìn)。并且國(guó)內(nèi)研發(fā)實(shí)力提升,與先進(jìn)水平差距縮小。資本市場(chǎng)持續(xù)活躍,2020年共24筆投資擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目(2019年17筆),投資擴(kuò)產(chǎn)金額達(dá)到694億元(不含GaN光電子),較2019年同比增長(zhǎng)161%。

CASA Research數(shù)據(jù)顯示,2020年我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值超過(guò)100億元,較2019年增長(zhǎng)69.5%。其中,SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)44.7億元,同比增長(zhǎng)54%,襯底材料約2.2億元,外延及芯片約5億元,器件及模組約7.2億元,裝置約30億元,相較前幾年,中下游的增長(zhǎng)速度加快。而GaN微波射頻產(chǎn)值達(dá)到60.8億元,同比增長(zhǎng)80.3%。其中,襯底約6.5億元,外延及芯片9.2億元,器件及模組19.6億元,裝置約25.5億元。

總結(jié)時(shí)指出,“十四五”是我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵窗口期,國(guó)家雙碳戰(zhàn)略開(kāi)始布局,新基建、中國(guó)制造2025將要收官,巨大的市場(chǎng)需求為功率半導(dǎo)體、射頻技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)遇。中國(guó)企業(yè)具備做大做強(qiáng)的政策和市場(chǎng)基礎(chǔ)。歷經(jīng)多年的布局和發(fā)展,我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初步形成了從材料、器件、封測(cè)到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈,但整體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力與國(guó)外龍頭企業(yè)相比還存在較大差距,自主可控國(guó)產(chǎn)化器件的市場(chǎng)占比還很小,存在與國(guó)際差距不斷拉大的風(fēng)險(xiǎn)。未來(lái)5年將是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵期,全球資本加速進(jìn)入第三代半導(dǎo)體材料、器件領(lǐng)域,產(chǎn)能大幅度提升,競(jìng)爭(zhēng)不斷加劇,國(guó)內(nèi)企業(yè)更要提前做好應(yīng)對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的準(zhǔn)備。
 問(wèn)答
 
嘉賓簡(jiǎn)介
于坤山,教授級(jí)高級(jí)工程師,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)。曾擔(dān)任輸配電及節(jié)電技術(shù)國(guó)家工程研究中心總工,中國(guó)電力科學(xué)研究院電力電子公司、中電普瑞科技有限公司副總經(jīng)理兼總工程師,電力電子研究所、微電子研究所所長(zhǎng)、電工新材料及微電子研究所所長(zhǎng)等職務(wù)。長(zhǎng)期從事電力電子和電能質(zhì)量領(lǐng)域的技術(shù)研究和工程應(yīng)用。
 
近年來(lái),在國(guó)內(nèi)外核心刊物上發(fā)表論文15篇;獲專利34項(xiàng),其中獲發(fā)明專利授權(quán)8項(xiàng);出版專著兩部,譯著一部。獲國(guó)家科技進(jìn)步二、三等獎(jiǎng)各一項(xiàng),省部級(jí)一、二等獎(jiǎng)各2項(xiàng),三等獎(jiǎng)一項(xiàng)。1994年享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼,1999年獲人事部有突出貢獻(xiàn)中青年專家稱號(hào),1999年獲首屆中國(guó)電機(jī)工程青年科技獎(jiǎng),2000年獲原國(guó)家電力公司首屆青年科技創(chuàng)新獎(jiǎng),2007年獲國(guó)家電網(wǎng)公司優(yōu)秀專家人才稱號(hào)。
 

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