功率半導(dǎo)體是實現(xiàn)電能控制和轉(zhuǎn)換的核心器件，寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是我國“十四五”規(guī)劃和2035遠(yuǎn)景規(guī)劃的重要發(fā)展方向，SiC功率器件和模塊的國產(chǎn)化有利于實現(xiàn)我國關(guān)鍵領(lǐng)域的獨(dú)立自主和進(jìn)口替代。芯聚能半導(dǎo)體是國內(nèi)領(lǐng)先的車規(guī)級SiC功率器件模塊公司，也是粵港澳大灣區(qū)重點(diǎn)支持的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目。

 

相比于硅基IGBT，碳化硅MOSFET具有更高結(jié)溫、更高頻率和更高耐壓的物理特性。受益于新能源汽車高電壓平臺的應(yīng)用和超級快充時代的到來，搭載碳化硅主驅(qū)逆變器的電動汽車可實現(xiàn)更高效的電驅(qū)控制，提高續(xù)航里程，減少電池消耗。碳化硅優(yōu)異的性能表現(xiàn)及成本的不斷降低，將帶來系統(tǒng)級成本優(yōu)勢從而加速其在純電動市場上的應(yīng)用。