據(jù)鈦信資本公眾號2月16日發(fā)布的文章，英諾賽科（蘇州）科技有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）近日完成近30億元D輪融資。本輪融資由鈦信資本領投，毅達資本、海通創(chuàng)新、中比基金、賽富高鵬、招證投資等機構跟投。
鈦信資本創(chuàng)始人高毅輝表示：“氮化鎵作為一種新型半導體材料，是一個嶄新的領域，也是為數(shù)不多與國外差距不大、我國最有可能實現(xiàn)彎道超車的領域之一，市場前景非常廣闊。英諾賽科是氮化鎵領域全球龍頭，在團隊、技術、產(chǎn)能、客戶等方面都已達到領先的位置。英諾賽科由原美國宇航局（NASA）科學家駱薇薇博士帶隊，聚集了來自全球知名半導體企業(yè)的氮化鎵領域全球頂尖人才，具備豐富的研發(fā)、建廠、制造（工藝）和運營經(jīng)驗。公司成立不久就建成中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線，目前已經(jīng)開始實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，產(chǎn)能國內(nèi)第一，還在持續(xù)快速爬升，公司客戶開拓進展也遠領先于競爭對手。隨著氮化鎵應用市場迎來快速增長，我們非?？春霉镜某砷L潛力，將以充足的支持助力其全面發(fā)展。”
英諾賽科（蘇州）科技有限公司于2015年成立，是第三代半導體硅基氮化鎵領域全球龍頭，也是全球唯一實現(xiàn)同時量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。英諾賽科技術處全球第一梯隊，產(chǎn)能國內(nèi)第一，消費級市場中快充產(chǎn)品已領先于市場快速放量，未來數(shù)據(jù)中心、5G基站、新能源汽車等市場將持續(xù)接力構成公司增長曲線。
英諾賽科是躋身全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊的國產(chǎn)半導體企業(yè)代表，是硅基氮化鎵領域全球龍頭。英諾賽科通過自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，同時填補了國內(nèi)在該領域的空白。在非常短的時間內(nèi)，英諾賽科打破了美國技術壟斷，實現(xiàn)了國產(chǎn)氮化鎵芯片的崛起。根據(jù)Trendforce 2021年數(shù)據(jù)，英諾賽科氮化鎵功率產(chǎn)品全球市場占有率一舉攀升至20%，躍升為全球第三，排名僅次于納微、PI。
據(jù)介紹，從核心技術的維度看，英諾賽科的核心技術集中于8英寸GaN-on-Si的外延、器件技術和工藝技術。以8英寸GaN-on-Si外延為例，英諾賽科正在使用最新一代的 Aixtron MOCVD reactor G5+C 來生產(chǎn)8英寸GaN-on-Si晶圓。此外，英諾賽科開發(fā)了專為優(yōu)化高壓(HV)和低壓(LV)器件的8英寸GaN-on-Si外延緩沖技術。通過內(nèi)部控制外延技術，可以快速調(diào)整外延制程，以適應特定的需求或應用。
從技術儲備的維度看，根據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科及其關聯(lián)公司，目前在全球126個國家/地區(qū)中，共有超過230件專利申請。值得注意的是，上述專利中近90%為發(fā)明專利。進一步分析來看，英諾賽科當前的專利布局，主要集中于氮化鎵、功率器件等相關技術領域。
目前，英諾賽科是全球唯一實現(xiàn)同時量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的半導體企業(yè)，高壓快充產(chǎn)品出貨已達數(shù)千萬顆，低壓產(chǎn)品成功取代了某電源管理技術世界領先供應商產(chǎn)品，成為中國領先的激光雷達企業(yè)禾賽科技的供應商。此外，英諾賽科還與小米、OPPO、比亞迪、安森美、MPS等國內(nèi)外廠商開展應用開發(fā)合作。
