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宏微科技:IGBT等功率器件芯片主流制程普遍在350nm以上,最新的制程需求是150nm
日期:2022-03-16
來源:每日經(jīng)濟新聞
閱讀:271
核心提示:宏微科技3月16日在投資者互動平臺回答投資者提問時表示,IGBT等功率器件芯片對制程的要求,沒有邏輯芯片等集成電路芯片那么高,
宏微科技3月16日在投資者互動平臺回答投資者提問時表示,IGBT等功率器件芯片對制程的要求,沒有邏輯芯片等集成電路芯片那么高,主流制程普遍在350nm以上,最新的制程需求是150nm, 所以對應(yīng)的光刻機設(shè)備不會受到像14nm、7nm制程那樣的約束。隨著國內(nèi)制程技術(shù)的逐步成熟,IGBT芯片制造設(shè)備(含光刻設(shè)備)的國產(chǎn)替代也正在加速。
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