半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：據(jù)臺灣媒體報道，晶圓代工龍頭臺積電位于臺灣竹科寶山二期的2nm晶圓廠Fab 20建廠計(jì)劃已正式啟動。竹科管理局局長王永壯20日表示，竹科管理局已將部分用地租予臺積電，臺積電將可展開整地作業(yè)，估計(jì)最晚將于6月取得所有用地。另外，世界先進(jìn)評估興建12吋廠且有意進(jìn)駐銅鑼園區(qū)設(shè)廠，王永壯表示待環(huán)差案通過將進(jìn)行用地分配。

 

王永壯表示，竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)劃進(jìn)展順利，經(jīng)過幾十次溝通，已有超過九成的地主同意價購征收，新竹縣政府將于4月底公告征收，估計(jì)最晚將于6月取得所有用地。同時，管理局3月已將部分用地租予臺積電，臺積電可以展開整地作業(yè)。

 

臺積電此前已確定將在竹科寶山二期興建Fab 20超大型晶圓廠，未來在此生產(chǎn)2nm。

 

設(shè)備業(yè)者指出，臺積電Fab 20廠區(qū)將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入風(fēng)險性試產(chǎn)，2025年進(jìn)入量產(chǎn)。

據(jù)悉，臺積電將會在2nm工藝上采用GAA FET(全環(huán)繞柵極晶體管)，取代finFET (鰭式場效應(yīng)晶體管)。目前三星為了和臺積電競爭，做法比較激進(jìn)，將會在3nm工藝就用上GAA技術(shù)。而臺積電為了提供給客戶最成熟的技術(shù)、最好的效能及最佳的成本，保守的選擇finFET技術(shù)生產(chǎn)3nm工藝芯片。

 

臺積電2nm之后的更先進(jìn)制程將進(jìn)入埃米（angstorm）時代，業(yè)界預(yù)期，臺積電后續(xù)將推進(jìn)到18埃米（1.8nm），但尚未決定設(shè)廠地點(diǎn)。設(shè)備業(yè)者評估，臺積電2nm需求強(qiáng)度若優(yōu)于預(yù)期，竹科用地不足，將可能轉(zhuǎn)赴臺中建立2nm及18埃米等先進(jìn)制程晶圓廠，中科二期用地已納入考慮。

 

臺積電去年進(jìn)入2nm N2制程技術(shù)的開發(fā)階段，著重于測試載具設(shè)計(jì)與實(shí)作、光罩制作及硅試產(chǎn)等，主要進(jìn)展在于提升基礎(chǔ)制程設(shè)定、晶體管與導(dǎo)線性能。在光刻技術(shù)部份，臺積電研發(fā)組織藉由提升晶圓良率達(dá)到可靠影像以支持3nm試產(chǎn)，并提升極紫外光（EUV）的應(yīng)用、降低材料缺陷與增進(jìn)平坦化的能力，以支持2nm技術(shù)的開發(fā)。