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賽默飛半導體助力后摩爾時代的“芯”航程

日期:2022-04-29 閱讀:47
核心提示:這些新技術的誕生為半導體器件生產過程中的良率提升及失效分析帶來了新的挑戰(zhàn)。
隨著“后摩爾時代”的到來,半導體器件的架構日趨復雜,伴隨而來的應用場景也不斷繁增。隨著世界能源的消耗增長,對電力電子器件的需求越來越大,從便攜式設備、電動汽車等消費者領域到工業(yè)自動化、可再生能源等工業(yè)領域,一切設備都需要更高效率、更可靠的功率半導體器件如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、金氧半場效晶體管(MOSFET)和高電子遷移率晶體管(HEMT)等。
 
顯示技術也日新月異,已經成為我們日常生活不可或缺的組成部分。從各種消費者器件到大型燈箱廣告,以及流行的車載顯示和虛擬現實等高新顯示技術,都推動了顯示器件從傳統(tǒng)的液晶顯示(LCD)過渡到有機發(fā)光二極管(OLED)以及微發(fā)光二極管(micro-LED)等新技術。
 
“后摩爾時代”也給器件的封裝帶來了更多挑戰(zhàn),設備的便攜化要求器件封裝可以提升器件整體性能,集成更多功用,同時要減少能耗。這些挑戰(zhàn)使得器件封裝開始向三維層次發(fā)展,推動了異構集成(Heterogeneous Integration)封裝技術成為“后摩爾時代“的重要支柱。
 
這些新技術的誕生為半導體器件生產過程中的良率提升及失效分析帶來了新的挑戰(zhàn)。
 
●一方面各種器件結構的復雜化使得制程偏差帶來的關鍵結構缺陷變得更加不容易被發(fā)現。還原缺陷結構的原貌通常需要大量并快速的移除器件結構中多余的材料,同時可以有效進行根本性分析。
 
●另一方面,新材料的研發(fā)也在推動“后摩爾時代“的半導體器件實現更高的性能,并運用到更多環(huán)境當中。例如基于第三代化合物半導體材料的寬帶隙功率器件使制造更高性能、更可靠的組件成為可能,這些組件可以使功率效率提升并在更嚴苛的操作環(huán)境下使用。然而,這些材料面臨生產過程中良率提升的需求,也會引入新的失效模式。
 
因此,如何快速有效的提升良率,并對失效進行關鍵性分析,就成為半導體工業(yè)界所面臨的重要挑戰(zhàn)。
 
為了更好的助力半導體企業(yè)在后摩爾時代的“芯“航程,快速提高良率,有效解決失效分析的難點痛點,賽默飛世爾科技帶來了一場與高效率電鏡技術相關的線上面對面的探討交流,歡迎一同參加!
 
【線上直播主題報告預告】
 
演講主題:“更快,更深,更全”——高效率雙束電鏡在半導體量產工業(yè)領域的應用
 
報告簡介:雙束電鏡是半導體工業(yè)領域過程控制以及失效分析的重要手段,它可以實現定點位置的快速加工和高分辨SEM成像,而Xe+離子FIB (PFIB) 技術有別于傳統(tǒng)的Ga+離子,具有更高更密集的束流,可同時實現高通量的切割和高質量的表征,將數據處理時間從原先的數天或數周縮短到以分鐘和小時計算,同時對于第三代半導體,Xe+離子加工技術還可有效避免Ga+污染。此報告將從FIB-SEM雙束電鏡的基本原理和前沿技術出發(fā),重點介紹Helios 5 PFIB在芯片封裝、顯示面板、第三代半導體等領域的應用優(yōu)勢。
 
【主講嘉賓】
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蔡琳玲
賽默飛世爾科技PFA業(yè)務拓展經理
 
嘉賓簡介:賽默飛PFA商務拓展經理,10多年電鏡技術支持的從業(yè)經驗,具有堅實的顯微鏡理論基礎以及豐富的實際應用經驗,對于電鏡產品如何助力于邏輯、存儲、化合物半導體、封裝以及面板類產品的研發(fā)以及良率提升有著持續(xù)和深入的研究,對于半導體工業(yè)各類樣品的的失效分析方法都非常熟悉?;谒S富的應用經驗,她可以為不同行業(yè)的客戶提供相適應的EFA到PFA的失效解決方案。
 
參與方式
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